型号:

DMP2123LQ-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:22+
包装:编带
重量:0.017g
其他:
DMP2123LQ-7 产品实物图片
DMP2123LQ-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 3A 1个P沟道 SOT-23
库存数量
库存:
333
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.534
3000+
0.499
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)123mΩ@2.5V,2.6A
功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.25V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.3nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)443pF@16V
反向传输电容(Crss@Vds)101pF@16V
工作温度-55℃~+150℃

DMP2123LQ-7 产品概述

1. 概述

DMP2123LQ-7是一款高性能P沟道MOSFET(场效应晶体管),由DIODES(美台)公司出品,广泛应用于低压电源管理、开关电源、电机控制和其他需要高效率和高开关频率的电子产品中。该器件在散热性能、导通电阻、驱动电压范围等方面表现优异,适合于多种应用场合。

2. 基本参数

DMP2123LQ-7采用SOT-23封装,具有以下主要电气参数:

  • 漏源电压 (Vdss): 该器件能承受的最大漏源电压为20V,适合于低压应用。
  • 连续漏极电流 (Id): 在25°C时,DMP2123LQ-7支持最高3A的连续漏极电流,满足较高负载需求的电路设计。
  • 驱动电压: 器件在2.5V和4.5V下分别提供最小和最大导通电阻(Rds On),确保在低电压条件下仍能高效导电。
  • 导通电阻 (Rds On): 在3.5A和4.5V的条件下,最大导通电阻为72毫欧。这一低阻抗特性使它在开关过程中表现出色,有助于降低功耗和发热。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 器件的Vgs(th)最高可达1.25V @ 250µA,这代表其在相对低电压下便可完全开启,提高了驱动的灵活性和可靠性。
  • 输入电容 (Ciss): 在16V的Vds条件下,输入电容为443pF,适合高速开关应用,确保快速响应和低延迟。

3. 热性能

DMP2123LQ-7的功率耗散为1.4W(Ta),结合其工作温度范围从-55°C到150°C,使其在不同环境条件下均可稳定工作。这样的热特性对于严酷的工业环境或高温应用尤为重要。

4. 安装与应用

该产品采用表面贴装型(SMD)设计,可方便布板和焊接,适合于现代电子设备的PCB组装。DMP2123LQ-7的多种应用包括但不限于:

  • DC-DC转换器
  • 电子开关
  • 负载开关
  • 电池管理系统
  • 电机驱动控制

5. 竞争优势

与同类产品相比,DMP2123LQ-7的独特优势在于其低导通电阻和出色的热管理特性,使其在效率和可靠性方面表现出色。同时,广泛的工作温度范围和兼容的驱动电压适用于不同的设计需求,使得它成为多种电子产品的理想选择。

6. 结论

DMP2123LQ-7凭借其高效的性能及多功能特性,成为电源管理和开关应用领域中的一款重要元件。凭借环保和节能的设计理念,适应现代电子设备对于高效能和高集成度的需求,可以预期该MOSFET将在未来的电子产线上发挥重要的作用。

具备全方位的电气参数和热特性,DMP2123LQ-7为设计工程师提供了灵活性和选型的便利,是开发现代电子系统不可或缺的关键元件之一。