描述：场效应管(MOSFET) 1.8W 30V 6.8A 2个N沟道 SOP-8
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商品单价
梯度内地(含税)
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1.58
100+
1.22
1250+
1.06
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)36mΩ@4.5V,5.8A
功率(Pd)1.8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12.9nC
输入电容(Ciss@Vds)608pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)71pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
DMN3024LSD-13 产品概述
产品名称: DMN3024LSD-13
类别: N-通道 MOSFET
品牌: DIODES（美台）
封装类型: SO-8 (表面贴装型)
产品简介
DMN3024LSD-13 是一款高性能的 N-通道场效应管（MOSFET），专为需要高效能和可靠性的逻辑电平开关应用而设计。该器件具有优异的漏源电压 (Vdss) 可达30V，支持连续漏极电流 (Id) 达到6.8A，使其非常适合在各种中等功率应用中使用。
主要参数
- FET 类型: 双 N-通道
- FET 功能: 逻辑电平门
- 漏源电压 (Vdss): 30V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C: 6.8A
- 导通电阻: 最大值为 24毫欧 @ 7A，10V
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 3V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大值 12.9nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大值 608pF @ 15V
- 功率最大值: 1.8W
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C (TJ)
应用领域
DMN3024LSD-13 在多个领域中具有广泛的应用场景，尤其是在需要高开关频率与低导通损耗的电路中。以下是一些主要的应用领域：
- 开关电源: 使用该 MOSFET 作为高效的开关元件，可以有效地提升开关电源的效率，减少热量的产生。
- 电机驱动: 由于其良好的电流处理能力，该器件适用于电机驱动电路中的高频开关。
- 负载开关: 能够在负载管理中快速切换，以控制电流的通断状态，适用于便携式设备、家用电器等。
- 逻辑电平电路: 由于其逻辑电平控制能力，使其在微处理器和逻辑电路中成为理想选择。
性能优势
- 低导通电阻: 仅为最大24毫欧，这使得在高电流情况下能够有效降低功率损耗和发热，实现更高的工作效率。
- 宽工作温度范围: 从-55°C 到 150°C 的工作温度，确保其在严苛环境下的可靠性。
- 小型封装: SO-8 封装尺寸小、易于表面贴装，使其适合在空间有限的电路中使用，同时提高了PCB的设计灵活性。
- 高阈值电压: 最大3V的阈值电压，使其能够在较低的驱动电压下实现有效的开关操作，适合于低功耗设备。
结论
综上所述，DMN3024LSD-13 是一款功能强大、性能卓越的 N-通道 MOSFET，非常适合用于高效能的开关应用。无论是在电源管理、电子设备的负载开关，还是在电动机驱动方面，都能展现出其优异的性能表现。其优雅的设计、卓越的耐用性以及适应多变环境的能力，充分满足了现代电子设计要求，使其成为设计工程师的理想选择。