描述：场效应管(MOSFET) 1.2W 100V 2.6A 1个N沟道 TSOT-26
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)2.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@10V
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.9nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)1.167nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)25pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
DMN10H170SVT-7 产品概述
基本信息
DMN10H170SVT-7 是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其设计适用于各种高效能功率管理应用。这款MOSFET的额定漏源电压为100V，具有较高的漏极连续电流能力（2.6A），表明其在现代电子电路中的广泛应用潜力。
主要参数与性能
- 漏源电压 (Vdss): 在100V的高压环境下，DMN10H170SVT-7 能够稳定工作，这使其非常适合需要高电压操作的电机控制、开关电源及其他功率驱动应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在25°C时，该器件的连续漏极电流为2.6A，符合小型功率电子系统的需求。
- 导通电阻 (Rds On): 在不同的电流和栅极源电压条件下，该器件的最大导通电阻为160毫欧（@5A, 10V），低导通电阻确保在导通状态下损耗小，提升效率。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): DMN10H170SVT-7的最大阈值电压为3V（@250µA），意味着它能够在相对较低的栅源电压下开始导通，有利于驱动电路的设计及降低驱动功耗。
- 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为1167pF（@25V），较小的输入电容在高频开关应用中有助于提高开关速度和减少开关损耗。
- 栅极电荷 (Qg): 该器件的栅极电荷为9.7nC（@10V），有助于降低栅极驱动电路的损耗和复杂性，也能改善开关频率。
- 功率耗散 (Pd): 最大功率耗散为1.2W，适合于较小功率设计中保证器件的安全运行。
- 工作温度范围: 可以在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作，适合于高温或低温环境下的应用。
封装与安装
DMN10H170SVT-7采用TSOT-26表面贴装封装，具有较小的体积和轻便的特性，非常适合于空间要求严格的电路板设计。此外，SOT-23-6细型的封装也使其便于自动化贴装和高密度布局，符合现代电子设备的设计要求。
应用领域
DMN10H170SVT-7 MOSFET的诸多优势使其成为多种应用的理想选择，包括：
- DC-DC转换器：在开关电源中进行高效的电能传输及调节。
- 电机驱动：用于控制电机的启停与调速，确保高效运行。
- 电源管理：在便携式设备或计算机系统中执行电源切换和管理。
- LED驱动：提供稳定的电流驱动及控制LED灯具的亮度。
结论
总之，DMN10H170SVT-7 N沟道MOSFET是一个高效、灵活并且适用广泛的电子元器件，因其低导通电阻、高电流容量及优良的热性能，使它在现代电子设计中展现出极大价值。无论是在工业设备、消费电子产品还是汽车电子领域，其高效能和可靠性都将为设计师提供更多的选择与可能性。