型号：
IPD60R280P7SAUMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-252-3(DPAK)
批次：22+
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 53W 600V 12A 1个N沟道 TO-252-3
库存数量
库存：
169
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.19
100+
3.49
1250+
3.18
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）280 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 190µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）18nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）761pF @ 400V
功率耗散（最大值）53W（Tc）
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
产品概述：IPD60R280P7SAUMA1
一、基本信息
IPD60R280P7SAUMA1是一款由英飞凌（Infineon）公司制造的N通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），其具有优异的电气性能和广泛的应用潜力。该MOSFET的封装类型为TO-252-3（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），为现代电子设备提供更紧凑的设计选项。
二、技术规格
- 漏源电压（V_ds）: 600V
- 连续漏极电流（I_d @ 25°C）: 12A
- 导通电阻（R_ds(on）: 最大280毫欧（在3.8A、10V时测得）
- 驱动电压（V_gs）: 较佳的驱动电压为10V，其最大值达±20V
- 门极阈值电压（V_gs(th）: 最大4V（在190µA时测得）
- 栅极电荷（Q_g）: 最大18nC（在10V时测得）
- 输入电容（C_iss）: 最大761pF（在400V时测得）
- 功率耗散: 最大53W（在Tc情况下）
- 工作温度范围: -40°C 到 150°C
- 封装类型: DPAK，PG-TO252-3，符合SC-63标准
三、产品特性
- 高电压和高电流能力: 该MOSFET设计用于高电压（最大600V）和高电流（12A）应用，可以满足电源转换、逆变器及其他高功率设备的需求。
- 低导通电阻: 通过优化的工艺技术，使得该MOSFET在低电流状态下的导通电阻极低，降低了功耗和热量生成，提高了整体系统的效率。
- 高工作温度: 支持在-40°C到150°C的广泛温度范围，使其适合用于恶劣环境的工业和汽车应用。
- 超低栅极电荷: 轻松与各种驱动电路兼容，降低了开关损耗，提高了频率响应，有助于实现高效的开关电源设计。
四、应用领域
IPD60R280P7SAUMA1可广泛应用于各类高性能的电子设备中，主要包括但不限于：
- 开关电源: 在高频开关电源中用作主开关元件，以提高效率和性能。
- 电动机驱动: 用于电动机控制系统中，能够高效转换和控制电流。
- 逆变器: 在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等电源管理设备中实现高效能量转换。
- 电动汽车: 适用于电动汽车的电源管理和驱动控制系统，以满足高功率和高稳定性的需求。
五、总结
总的来说，IPD60R280P7SAUMA1是一款高性能、高可靠性的N通道MOSFET，凭借其600V的电压承受能力、12A的连续电流、低导通电阻和高效率特性，成为了现代电子设计中的一个重要元件。其广泛的应用范围和卓越的技术规格，确保了在各类高功率和高效能的电子产品中的核心地位。选择IPD60R280P7SAUMA1，能够为您的产品实现更高的性能和更好的可靠性。