型号：
BSP296NH6327XTSA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：SOT-223
批次：24+
包装：编带
重量：0.194g
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 1.8W 100V 1.2A 1个N沟道 SOT-223-4
库存数量
库存：
1290
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.83
50+
1.4
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）600 毫欧 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.8V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）6.7nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）152.7pF @ 25V
功率耗散（最大值）1.8W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-SOT223-4
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
BSP296NH6327XTSA1 产品概述
一、产品背景
BSP296NH6327XTSA1 是一款由英飞凌（Infineon）推出的 N 通道 MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、以及各种工业控制和消费类电子设备。作为一种高性能的场效应管（FET），它的设计旨在满足高电压和中等电流条件下的需求，同时保持高效能和可靠性，适用于现代电子设备的各种需求。
二、基本参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下可达 1.2A
- 驱动电压范围：4.5V 至 10V
- 导通电阻（Rds On）：在 1.2A 及 10V 驱动下，最大导通电阻仅为 600 毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大 1.8V（@100µA），确保在低电压时便可开始导通
- 栅极电荷（Qg）：最大 6.7nC（@10V），有助于降低开关损耗
- 最大适用栅极电压（Vgs）：±20V，提供设计灵活性
- 输入电容（Ciss）：在 25V 时最大 152.7pF，意味着在高频应用中表现良好
- 功率耗散（PD）：最大 1.8W，在高负载情况下也能保持良好的工作温度
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C，适用于极端环境
- 安装类型：表面贴装型（SMD），便于在现代电路板中使用
三、封装与材料
BSP296NH6327XTSA1 采用 SOT-223（PG-SOT223-4）封装，这种紧凑的封装设计在保持高功率密度的同时，还能有效地进行热管理，减少体积，为电子设备的轻薄短小提供了可能。此外，SOT-223 封装的特性也使得该器件在自动化生产线上的贴装变得简单高效。
四、应用领域
BSP296NH6327XTSA1 被广泛应用于以下几个领域：
- 电源管理：如DC-DC转换器、开关电源、线性稳压器等。
- 开关控制：可以用于各种开关电路，如电机驱动、灯光控制等。
- 负载开关：高效控制负载的开合，常用于消费电子产品中。
- 温控系统：在温控设备和传感器中，提供快速的响应及高效的能量转换。
五、技术优势
- 高效率：较低的导通电阻（600毫欧）与高的开关速度，使得该 MOSFET 在大多数应用中具备出色的能效，降低了能耗及热量产生。
- 高可靠性：面对高达 150°C 的工作温度和高达 100V 的漏源电压，采用高质量材料与先进的制造工艺，确保了器件的稳定性和可靠性。
- 易于驱动：较低的栅极阈值电压使其能够在各种驱动条件下可靠工作，提高了设计的灵活性。
六、总结
BSP296NH6327XTSA1 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气性能和适应广泛的工作环境，非常适合现代电子产品中的电源管理和开关控制应用。随着电子技术的不断进步，BSP296NH6327XTSA1 的多功能性及效率使其成为设计工程师在选择功率MOSFET时的重要选择。无论是工业设备，还是消费类电子产品，BSP296NH6327XTSA1 都能提供可靠的解决方案，满足日益增长的市场需求。