型号：
SN7002NH6327XTSA2
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：SOT-23-3
批次：2年内
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 360mW 60V 200mA 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存：
15017
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.329
3000+
0.29
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.8V @ 26µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）1.5nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）45pF @ 25V
功率耗散（最大值）360mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SN7002NH6327XTSA2 产品概述
一、产品简介
SN7002NH6327XTSA2 是一款由英飞凌（Infineon）推出的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有出色的性能和灵活的应用场景，其主要应用于低功耗电源管理、开关电源和各类电子控制电路中。该器件采用 SOT-23-3 封装，便于在现代电子产品中进行表面贴装，实现高效的空间利用和散热。
二、技术参数
1. 基础参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流（Id）：200mA @ 25°C
- 驱动电压：支持 4.5V 和 10V 驱动
2. 电气特性
- 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 驱动下，最大导通电阻为 5 欧姆，适用的电流为 500mA，确保高效能的电流传输。
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 1.8V @ 26µA，低阈值电压使得其在低压条件下也能稳定工作。
- 栅极电荷（Qg）：最大值为 1.5nC @ 10V，这意味着在开关操作中，器件能够快速响应，从而提升电路的整体效率。
3. 频率和电容特性
- 输入电容 (Ciss)：最大值为 45pF @ 25V，低输入电容特性使得 SN7002NH6327XTSA2 在高频应用中表现优异。
- 功率耗散：在工作温度环境下最大功率耗散为 360mW，确保器件在常规应用中稳定工作。
4. 工作环境
- 工作温度：器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C（TJ），适合各种恶劣环境的应用需求，确保长期稳定运行。
三、应用场景
SN7002NH6327XTSA2 在现代电子设备中的应用非常广泛，包括但不限于：
- 电源开关：广泛应用于各种电源管理和开关模式电源（SMPS）设计中。
- 电机控制：可以作为电机驱动电路中的开关元件，实现高效的电机控制。
- LED 驱动：用于 LED 照明设计中，能够精确控制电流，实现高效亮度调节。
- 信号开关：在通信设备中充当信号开关，适用于 HF 或 RF 应用。
四、封装与安装
SN7002NH6327XTSA2 采用 SOT-23-3 封装，不仅具有良好的电气性能，且其小巧的体积适合于高密度电路板设计。表面贴装型的设计使得自动化焊接成为可能，提高了生产效率和可靠性。
五、总结
综上所述，SN7002NH6327XTSA2 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具有优异的电气特性、宽广的应用范围以及强大的环境适应能力。凭借其在功率管理、电机控制和高频应用中的优势，英飞凌SN7002NH6327XTSA2 定会成为工程师在设计电源时的重要选择之一。其出色的性价比和可靠性使得它能够在各种电子产品中发挥重要作用。