描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 20V 4.1A 1个N沟道 SOT-23
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商品单价
梯度内地(含税)
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200+
0.435
1500+
0.396
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)46mΩ@4.5V
功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.1V@5uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.5nC
输入电容(Ciss@Vds)290pF
反向传输电容(Crss@Vds)41pF
工作温度-55℃~+150℃
IRLML6246TRPBF 产品概述
产品名称: IRLML6246TRPBF
品牌: Infineon（英飞凌）
封装类型: SOT-23 (Micro3)
一、产品介绍
IRLML6246TRPBF是Infineon公司推出的一款高性能N沟道MOSFET（场效应管）。该器件专为通用低电压和中等电流应用设计，具备出色的导通性能和热特性，广泛应用于电源管理、开关电路、负载驱动及各种电子产品中。
二、主要特性
漏源电压(Vdss): 20V
- 这意味着该MOSFET能够在20V的最大漏源电压下稳定工作，适合用于低电压驱动场合。
连续漏极电流(Id): 4.1A
- 在25°C时，IRLML6246TRPBF的连续漏极电流为4.1A，足以支持多种中等负载需求的应用。
驱动电压:
- 最大的Rds On at 2.5V和4.5V
- 该器件在低电压（如2.5V和4.5V）下也能有效导通，提供灵活的驱动电压选择。
导通电阻(Rds On):
- 在4.1A和4.5V条件下，最大导通电阻为46毫欧，意味着在导通状态下能有效减少功率损耗，提高总体效率。
栅极阈值电压(Vgs(th)):
- 最大值为1.1V @ 5µA，提供了对栅极信号快速反应的能力，使得其切换速度更快。
栅极电荷(Qg):
- 最大值为3.5nC @ 4.5V，说明在高频应用中，IRLML6246TRPBF能够实现较低的驱动功耗。
输入电容(Ciss):
- 在16V时的最大输入电容为290pF，表明在高频工作下其输入特性良好。
工作温度范围:
- 该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，确保其在恶劣环境下仍能稳定工作。
功率耗散:
- 最大功率耗散为1.3W，适合中小功率应用。
三、应用领域
IRLML6246TRPBF因其出色的性能，广泛应用于以下领域：
- DC-DC转换器: 作为开关元件，提高转换效率。
- 电源管理: 可用于各种电源模块，支持快速开关，降低功耗。
- 信号开关: 适合用于高效的信号切换电路。
- 电动机驱动: 在小型直流电机控制中，IRLML6246TRPBF能够有效控制电流，改善电机性能。
- LED驱动: 适用于驱动LED灯具，协调电流与电压，保证其亮度和稳定性。
四、技术优势
高效率: 低导通电阻(Rds On)和高电流处理能力，使得IRLML6246TRPBF在电源转化过程中的功率损耗降到最低，提升电路的整体效率。
高速开关: 较低的栅极电荷(Qg)特性使得其在频繁开启与关闭时保持良好的响应速度，提升电路性能。
宽泛的温度适应性: 可在广泛的温度范围内正常工作，使其适用于工业、消费及汽车等多种应用环境。
五、总结
总的来说，IRLML6246TRPBF是一款性能优异的N沟道MOSFET，适合各种中小功率应用场合，凭借其高效率、快速响应及稳定性，成为众多设计工程师的首选器件。无论是在电源管理还是信号处理领域，IRLML6246TRPBF都提供了可靠的解决方案，是现代电子设计中不可或缺的重要元件。