型号:
BSP297H6327XTSA1
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-223
批次:2年内
包装:编带
重量:-
描述:Infineon technologies offers automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N and P-Channel Small Signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality requirements in well-known industry standard packages. With unmatched levels of reliability and manufacturing capacity these components are ideally suited for a wide variety of applications including LED lighting , ADAS , body control units , SMPS and motor control .
BSP297H6327XTSA1 产品概述
一、产品简介
BSP297H6327XTSA1 是由英飞凌(Infineon Technologies)公司制造的一款高性能 N 通道 MOSFET,广泛适用于汽车和工业领域。该器件以其优越的性能和可靠性,满足了多种应用需求,包括LED照明、先进驾驶辅助系统(ADAS)、车身控制单元、开关电源(SMPS)及电机控制等。
二、技术规格
- FET 类型:N 通道 MOSFET
- 漏源电压(Vdss):200V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):660mA
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 导通电阻(最大值):1.8 欧姆 @ 660mA,10V
- Vgs(th)(最大值):1.8V @ 400µA
- 栅极电荷 (Qg)(最大值):16.1nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 输入电容 (Ciss)(最大值):357pF @ 25V
- 功率耗散(最大值):1.8W
- 工作温度范围:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装类型:SOT-223
- 供应商器件封装:PG-SOT223-4
- 其它封装:TO-261-4,TO-261AA
三、产品特点
高耐压:该MOSFET具备高达200V的漏源电压,使其在高电压应用中具有良好的适应性。
低导通电阻:在660mA的电流条件下,其导通电阻达到了1.8欧姆,这意味着在稳定的导通状态下功耗较低,效率更高。
优越的热稳定性:工作温度范围宽(-55°C至150°C),使其适用于各种极端的环境条件,满足汽车和工业应用对可靠性的高要求。
小封装设计:SOT-223封装体现了其优越的表面贴装特性,便于提高生产效率。
低栅极电荷:其栅极电荷仅为16.1nC,能够确保快速开关,从而增强了整体电路的响应速度。
高品质和可靠性:作为一个行业标准产品,BSP297H6327XTSA1满足并超越了行业的最高质量标准,适用于要求高质量和高可靠性的应用。
四、应用领域
BSP297H6327XTSA1由于其设计优良及技术参数,适合于多种工业及汽车应用场景,例如:
- LED照明:利用其高效的开关特性,能够有效提升LED照明产品的能效比,降低工作温度。
- ADAS(高级驾驶辅助系统):其高稳定性和响应速度适合用于复杂的汽车电子系统,确保实时数据处理。
- 车身控制单元:可在车身控制系统中实现高效的电源管理和控制,提升整体性能。
- 开关电源(SMPS):适用于高效的电源转换,降低能量损失,提升系统的总效率。
- 电机控制:能够在电机驱动和控制系统中实现快速的开关,有效调节电机的输出性能。
五、总结
BSP297H6327XTSA1是一款高性能N通道MOSFET,具备高耐压、低导通电阻和高效能等特性,广泛适用于汽车和工业应用。由于其在可靠性和可生产性方面的优势,BSP297H6327XTSA1是设计工程师在选择高质量MOSFET时的重要考量。随着汽车电子化程度的不断提高以及工业自动化的发展,该元件的应用前景将更加广阔。