型号:

IRFD9024PBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:HVMDIP-4
批次:-
包装:管装
重量:-
其他:
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IRFD9024PBF 一小时发货
描述:Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 1.3W; DIP4
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2500+
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产品参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)1.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)280mΩ@10V,0.96A
功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)570pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)65pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

产品概述:IRFD9024PBF

产品概述

IRFD9024PBF是一款高性能的P通道MOSFET,专门设计用于高压和高电流应用。其漏源电压(Vdss)可承受高达60V,连续漏极电流(Id)最高为1.6A,非常适合用于功率管理、开关电源和电机驱动等场合。

主要特性

  1. 高压能力:IRFD9024PBF的最大漏源电压(Vdss)为60V,能够在各种严格的电压条件下稳定工作,适用于多个行业的应用,包括汽车、工业控制和消费电子。

  2. 低导通电阻:在较高的栅极驱动电压(Vgs)下,IRFD9024PBF表现出优异的导通电阻特性。在10V的驱动电压下,导通电阻(Rds On)的最大值为280毫欧,尤其适合需要高效电流传输的应用。

  3. 宽工作温度范围:该器件的工作温度范围为-55°C至175°C,极大提升了其在严酷环境下的适应能力,确保长期稳定的性能。

  4. 适用的驱动电压:IRFD9024PBF的最大栅-源电压(Vgs)为±20V,能够适应多种驱动方案,同时在不同的漏极电流(Id)和栅极电压(Vgs)条件下,保持相对稳定的阈值电压(Vgs(th)),最大值为4V @ 250µA,有助于简化驱动电路设计。

  5. 小型封装:该MOSFET采用4-DIP(双列直插封装)封装,具有良好的散热特性及易于安装的优点,适合各种电路板设计及生产线组装。

  6. 优良的输入电容特性:最大输入电容(Ciss)为570pF @ 25V,确保在快速开关操作时,能够实现高效能和更快的响应。

  7. 低栅极电荷:IRFD9024PBF的栅极电荷(Qg)最大值为19nC @ 10V,意味着在开关操作中,有效降低了驱动功耗,提高了整体电路效率。

应用领域

IRFD9024PBF因其独特的特性,广泛应用于多个领域,如:

  • 电源管理:在开关电源和线性稳压电源中用于高效率的电源转换,减少功耗。
  • 电机驱动:适合用于直流电机及步进电机的控制电路中,能够进行高效的开关操作,提高电机的工作效率和响应速度。
  • 自动化控制:在工业设备和自动化系统中,用于开关控制、负载切换等场合,提升系统的稳定性和可控性。

总结

IRFD9024PBF是一款集高电压承受能力、低导通电阻、宽工作温度范围于一身的P通道MOSFET,特别适合为需要高效能与高稳定性的应用。无论是在电源管理、汽车电子还是工业控制领域,该产品都能为设计者提供卓越的性能和灵活的设计选择,使之成为电子设计中的理想选择。选择IRFD9024PBF,将为您的产品赋予更高的可靠性和性能。