产品名称:IRFB18N50KPBF
类型:N 沟道 MOSFET
封装:TO-220-3
制造商:VISHAY(威世)
基本参数概述
IRFB18N50KPBF是一款高效能的N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具备500V的高漏源电压,最大连续漏极电流可达到17A。这款MOSFET特别设计用于高电压和高电流应用,适合用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。
技术特点
耐压与电流:
导通电阻与驱动电压:
电气特性:
功率处理能力:
工作温度范围:
封装与安装类型
IRFB18N50KPBF采用TO-220AB封装,通孔安装设计确保了良好的热管理,因此是大功率和高散热应用的理想选择。TO-220封装不仅提供了便利的电气连接方式,还能够通过散热器有效地散发热量,降低器件工作温度,从而提高其功率处理能力。
应用领域
IRFB18N50KPBF广泛应用于多种高电压及高功率场合,包括但不限于:
总结
IRFB18N50KPBF是一个高性能、可靠性强的MOSFET,专门设计满足高电压、高电流及高效能的应用需求。其结合了出色的导通电阻、功率处理能力和宽广的工作温度范围,使其成为多种电子产品及系统设计中的优选材料。无论是在工业控制、汽车电子,还是在消费类电子产品中,这种MOSFET都能发挥其优越的特性,为用户提供高效的解决方案。