型号:

STP5NK60ZFP

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220-3
批次:-
包装:管装
重量:2.42g
其他:
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STP5NK60ZFP 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 25W 600V 5A 1个N沟道 TO-220FP
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梯度内地(含税)
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3.84
1000+
3.68
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,2.5A
功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.75V@50uA
栅极电荷(Qg@Vgs)26nC@0~10V
输入电容(Ciss@Vds)690pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)20pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STP5NK60ZFP 产品概述

STP5NK60ZFP 是一款高性能 N 通道 MOSFET,由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产,专为高压功率转换和开关应用而设计。这款 MOSFET 具有优异的电气特性和稳定的工作性能,广泛应用于电源管理、逆变器、光伏系统和电机驱动等领域。

1. 主要规格

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)
  • 漏源电压 (Vdss): 最高可达 600V,适用于高压应用。
  • 连续漏极电流 (Id): 5A,确保在工业环境中的可靠性和稳定性。
  • 驱动电压: 10V,经过优化以提供最小 Rds On 以降低导通损耗。
  • 导通电阻 (Rds On): 在 10V 驱动下,2.5A 时最大可达 1.6Ω,极大地降低了功耗和热量产生。
  • 阀值电压 (Vgs(th)): 最大 4.5V(@ 50µA),确保低电平驱动下的有效开关。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 34nC(@ 10V),这有助于提升开关频率及效率。
  • 输入电容 (Ciss): 达到 690pF(@ 25V),有利于在快速开关操作中降低开关损失。
  • 功率耗散: 可承受最高 25W(Tc),适合高温、高功率的应用场景。
  • 工作温度范围: -55°C 到 150°C,确保在恶劣环境下依然可以稳定运行。
  • 安装类型: 通孔,便于在多种 PCB 布局中使用。
  • 封装类型: TO-220FP,提供良好的散热性能,使得器件在高负载条件下维持安全工作。

2. 应用领域

STP5NK60ZFP 的优异特性使其非常适合以下应用:

  • 开关电源 (Switch Mode Power Supplies): 由于其高效的导通特性和低开关损失,能够提升开关电源的整体效率。
  • 逆变器设备: 在光伏逆变器及其他新能源设备中提供可靠的电流控制。
  • 电机驱动: 例如电动机的控制器,利用其高电压耐受能力及良好的开关特性。
  • 消费电子产品: 在各种消费电子产品的电源管理中,确保设备的稳定性与效能。

3. 性能优势

STP5NK60ZFP 的设计强调高效率和稳定性,使其在高电压应用中表现出色。这款 MOSFET 能够在高温下可靠工作,适合各种工业环境。其封装 TO-220FP 带来的良好散热性能,有助于降低热失控风险,并具有较高的抗干扰能力,保证在苛刻条件下的长期工作。

4. 结语

总之,STP5NK60ZFP 作为一款高电压 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性、宽广的工作温度范围以及良好的热管理能力,成为众多高效能源管理方案和工业应用中的理想选择。通过对其特性的深入认识,设计工程师可以在应用中充分利用此元件的优势,从而实现更高的性能和更低的功耗。无论是电源设计师还是系统集成商,STP5NK60ZFP 都是一个值得信赖的选择。