描述：场效应管(MOSFET) 35W 500V 21A 1个N沟道 TO-220FP
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)21A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)135mΩ@10V,10.5A
功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)50nC@400V
输入电容(Ciss@Vds)1.735nF
反向传输电容(Crss@Vds)4.3pF
工作温度-55℃~+150℃
产品概述：STF28NM50N N通道MOSFET
一、基本信息
STF28NM50N是一款高性能的N通道MOSFET，使用金属氧化物半导体技术制造，专为需要高压、高电流应用而设计。该器件具有500V的漏源电压（Vds）和21A的连续漏极电流（Id），适合在严苛的工作环境中使用。STF28NM50N以TO-220FP封装提供，便于散热和安装，是电源管理、开关电源和电机控制等多种应用中的理想选择。
二、关键性能参数
漏源电压 (Vdss): 500V
- 该MOSFET的漏源电压达500V，能够承受高电压负载，适用于电力电子设备。
连续漏极电流 (Id): 21A
- 在适当散热条件下，该器件可实现高达21A的连续漏极电流，可以驱动高功率负载。
导通电阻 (Rds(on)): 最大158毫欧 @ 10.5A，10V
- 在10V的栅极驱动电压下，其导通电阻相对较低，确保了在正常运行时的功率损耗减少，提高了电能的使用效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大4V @ 250µA
- 栅极阈值电压提供了良好的控制性能，有助于在低负载情况下启动控制，提高了系统的灵活性。
栅极电荷 (Qg): 最大50nC @ 10V
- 较低的栅极电荷使得该MOSFET具有较快的开关特性，适合高频开关应用。
输入电容 (Ciss): 最大1735pF @ 25V
- 该器件具备适中的输入电容，确保在快速开关过程中，保持良好的动态响应。
功率耗散 (Pd): 最大35W（Tc）
- 高达35W的功率耗散能力，使得STF28NM50N能够有效处理热量，延长产品的使用寿命。
工作温度 (TJ): 150°C
- 优越的工作温度特性使得该器件能够在高温环境下稳定运行，适合苛刻的工业应用。
安装类型: 通孔
- 结合TO-220FP的封装设计，便于安装并优化散热，有效支持各种电路板设计需求。
三、应用领域
STF28NM50N广泛应用于多种电子设备和系统中，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其高电压和高电流能力，该MOSFET在中高功率开关电源中的应用非常普遍。
- 电机驱动: 可用于各类电动机控制，如直流电动机和步进电机等，提供高效的开关控制。
- 电源管理系统: 在电力转换与管理领域，STF28NM50N以良好的电气性能支持高效的电源调节。
- 消费电子: 于高功率消费电子产品中实现重要的开关功能，提升综合性能。
四、绝对优势
STF28NM50N以其可靠的高压特性、优异的散热能力、快速的开关速度和低导通电阻，成为电源管理和动力控制领域的理想选择。ST（意法半导体）作为知名的半导体制造商，确保其产品在质量、性能和稳定性上的高标准，为客户提供长期可靠的电子解决方案。
五、总结
STF28NM50N是一款强大且多功能的N通道MOSFET，适用于各种高压高电流应用。通过结合高性能参数与意法半导体的卓越制造能力，STF28NM50N满足现代电子产品对功率电子元件日益提高的要求，是追求高效率与可靠性的设计者的优选。