描述：场效应管(MOSFET) 45W 620V 2.2A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
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1250+
3.56
2500+
3.41
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)620V
连续漏极电流(Id)2.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.6Ω@10V,1.1A
功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA
栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)340pF@50V
产品概述：STD2N62K3 N通道MOSFET
一、产品简介
STD2N62K3 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N通道MOSFET，适用于高压功率转换和开关应用。它具有620V的漏源电压(Vds)，2.2A的最大连续漏极电流(Id)，以及高达45W的功率耗散能力。该器件采用DPAK封装，具有优异的热管理特性和紧凑的尺寸，适合于空间受限制且散热要求高的电路。
二、主要参数
- 类型：N通道 MOSFET
- Vds (漏源电压)：620V，适合高压应用
- Id (连续漏极电流)：2.2A（Tc=25°C）
- Rds(on) (导通电阻)：最大值3.6Ω @ 1.1A，10V，提供良好的导电性
- Vgs(th) (栅极阈值电压)：最大值4.5V @ 50µA，确保器件在低电压下可靠开启
- Qg (栅极电荷)：最大值15nC @ 10V，优化开关速度与能效
- 工作温度：最大150°C，适合高温环境工作
- 功率耗散：最大值45W（Tc=25°C），满足高负载条件
- 输入电容 (Ciss)：最大值340pF @ 50V，为高速开关做了准备
三、技术特性
导通电阻与电流特性：STD2N62K3的导通电阻在1.1A时达到3.6Ω，这使其在低电流时仍能保持较低的功率损耗，提供更高的能效。其3.6Ω的最大导通电阻标志着器件在处理脉冲负载时的稳定性。
高压能力：具备620V的漏源电压，使其成为高压直流/DC-DC转换器、继电器驱动、以及其他要求高电压的电路中的理想选择。
散热性能：其额定功率为45W，经过合理的散热设计，可以应用于较高功率的开关电路。
四、应用场景
STD2N62K3广泛应用于各种电源管理和转换设计中，包括：
- 开关电源：用于AC-DC和DC-DC的转换应用。
- 电机驱动：适用于通过PWM控制的电机驱动电路。
- 家电控制：在电热器、灯光调光及其他家用电器中进行高效的开关控制。
- 汽车电子：在车载电子设备中，控制电流并减少能量损耗。
五、封装信息
STD2N62K3采用DPAK（TO-252-2）封装，特性包括：
- 表面贴装型：适合自动化组装线的高效生产。
- 出色的散热性能：DPAK封装设计确保器件在高负载情况下也能保持低温，从而提高产品的可靠性和使用寿命。
六、总结
STD2N62K3是一款性能强大的N通道MOSFET，适合高压、高效能应用场景。其620V的漏源电压、较低的导通电阻和出色的功率管理能力，使其在现代电子设计中极具竞争力。设计师在选择电源开关元件时，STD2N62K3是一个值得考虑的优质解決方案，能够满足多种电气应用的需求，同时保证高效运行与稳定性。