STF20N90K5

STF20N90K5 产品概述

一、产品简介

STF20N90K5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该MOSFET适用于高电压和高功率应用，具备优秀的电流承载能力和热性能。其漏源电压（V_DSS）高达900V，连续漏极电流（I_D）为20A，使其在各类电力电子和能源管理系统中表现出色。

二、关键参数

1. 电气特性

   • 漏源电压（V_DSS）: 900V，提供高额的电压承受能力，适用于高压系统。
   • 连续漏极电流（I_D）: 20A，支持较大的输出电流，适用于大功率应用。
   • 导通电阻（R_DS(on)）: 在10A和10V的条件下，最大值为250毫欧，证明了其低压降特性，有助于提高电源转换效率。

2. 门极驱动特性

   • 栅源电压（V_GS）: 最大值为±30V，允许宽广的驱动电压范围。
   • 栅极阈值电压（V_GS(th)）: 最大值为5V（在100µA时），指示了MOSFET的开启电压条件。
   • 栅极电荷（Q_g）: 最大值为40nC（在10V时），较低的栅极电荷意味着更快速的开关速度，适合高频应用。

3. 温度和功率管理

   • 功率耗散（P_d）: 最大为40W（在Tc模式下），具备良好的散热能力。
   • 工作温度范围: 从-55°C到150°C，适应各种严苛环境条件，确保稳健运行。

三、应用领域

STF20N90K5 MOSFET非常适合以下应用场景：

• 开关电源（SMPS）: 由于其高效率和低导通电阻特性，非常适合开关电源设计，以提高能量转换效率。
• 电机驱动: 合适的电流承载能力可用于各类电机驱动应用，包括工业电机控制和电动车驱动系统。
• 电力管理系统: 在高压电源转换和能量管理系统中的应用，提供稳定的开关性能。
• 太阳能逆变器: 在可再生能源系统中，具备高电压和高效率的特点，使得该MOSFET适合用于太阳能逆变器的设计。

四、封装与安装

STF20N90K5采用TO-220FP封装（也称为TO-220-3封装），该封装提供良好的散热性能，便于安装和散热管理。其通孔安装形式使其易于接入电路板，这在电气设计中降低了布局复杂度。此外，该封装在提高产品耐用度的同时也优化了电气性能。

五、总结

STF20N90K5是一款功能强大且可靠的N通道MOSFET，能够在高电压和大电流应用中发挥重要作用。其卓越的电气特性和广泛的应用范围，使其成为电力电子工程师的首选元器件之一。无论是在开关电源、电机驱动，还是在其他高功率应用中，STF20N90K5都能帮助工程师实现更高的效率和更好的性能。在设计和选择合适的电子元器件时，STF20N90K5以其出色的性能，为相关行业提供了有力的支持。