描述：场效应管(MOSFET) 2W 150V 900mA 1个N沟道 TSOP-6
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0.76
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)900mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,0.54A
功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.8nC
输入电容(Ciss@Vds)88pF
反向传输电容(Crss@Vds)7.7pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
产品概述：IRF5802TRPBF
基本信息
IRF5802TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具有额定漏源电压150V和最大连续漏极电流900mA，适合在高压和中功率应用中使用。产品由知名的英飞凌（Infineon）公司生产，采用小型化的 TSOP-6 表面贴装封装，便于在空间受限的电路板上进行集成。
主要参数
- 类型：N 通道 MOSFET
- 关键参数：
- 漏源电压（Vdss）：150V
- 连续漏极电流（Id）：900mA（在25°C 环境温度下）
- 导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（在 Vgs = 10V，Id = 540mA 时）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为5.5V（在Id = 250μA时）
- 输入电容（Ciss）：88pF（在 Vds = 25V 时）
- 栅极电荷（Qg）：最大值6.8nC（在 Vgs = 10V 条件下）
性能特征
IRF5802TRPBF MOSFET 的设计旨在高效地调节电流，具备良好的导电性能与稳定性。在最大 Rds(on) 条件下，其低导通电阻（仅为1.2Ω）确保了功率损耗的最小化，这对于要求高效率的应用至关重要。同时，栅极阈值电压为5.5V，使其更易于与各种逻辑电平的控制电路兼容。
可靠性与温度范围
IRF5802TRPBF 具有广泛的工作温度范围，从 -55°C 到 +150°C，适用于各种极端环境。这种高可靠性使其在工业控制、基础设施、电源管理和汽车电子等应用中具有广泛的市场前景。此外，其最大功率耗散能力为2W，为用户提供了良好的散热性能，从而确保了 MOSFET 在高负载情况下一致的性能表现。
应用领域
IRF5802TRPBF 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：在开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC Converter）中，IRF5802TRPBF 可作为开关元件，有助于提供高效率的电流转换及调节功能。
- 马达驱动：适用于直流电机控制和伺服电机驱动中的开关控制，IRF5802TRPBF 的高电压和电流处理能力使其成为合适的选择。
- 负载开关：在负载开关应用中，IRF5802TRPBF 可用于控制大功率设备的启停，具有快速响应的特性。
- 自动化控制：适用于工业电子设备、自动化控制系统中的功率调节元件。
封装与配置
IRF5802TRPBF 采用TSOP-6微型封装，便于实现高密度拼装，适合现代电子产品的小型化与轻量化要求。此外，表面贴装的设计使其易于在自动化生产线上的高速封装中使用，提升了生产效率。
总结
IRF5802TRPBF N 通道 MOSFET 是一个多功能、高可靠性的电子元件，适合各种电压高、功率适中的应用环境。其优越的电性能、宽广的工作温度范围以及紧凑的封装设计，使其在现代电子设计中脱颖而出，对寻求高效率、低功耗解决方案的设计师极具吸引力。无论是在工业控制、消费电子还是汽车应用领域，IRF5802TRPBF 都是值得考虑的高性价比选择。