ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA MOSFET 产品概述

1. 产品概述

ZXMN2B03E6TA 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），主要用于低电压、高功率开关应用。其极为适合高频开关、直流-直流转换器和其他需要快速开关的电路。ZXMN2B03E6TA 以其高效能和稳定性，在广泛的工业和消费电子应用中都得到了好评。

2. 主要参数

• FET 类型：N 通道
• 技术：MOSFET
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C 时连续漏极电流（Id）：4.3A
• 驱动电压：1.8V（最小 Rds On），4.5V（最大 Rds On）
• 导通电阻（Rds On）：在 Id = 4.3A, Vgs = 4.5V 时，最大值为 40 毫欧
• 阈值电压（Vgs(th)）：在 Id = 250µA 时，最大值为 1V
• 栅极电荷（Qg）：在 Vgs = 4.5V 时，最大值为 14.5nC
• Vgs（最大值）：±8V
• 输入电容（Ciss）：在 Vds = 10V 时，最大值为 1160pF
• 功率耗散（最大值）：1.1W
• 工作温度范围：-55°C 至 150°C
• 封装类型：SOT-23-6
• 品牌：DIODES（美台）

3. 应用领域

ZXMN2B03E6TA MOSFET 适用于多个领域，包括但不限于：

• 电池管理：在电池充电器和电源管理系统中，ZXMN2B03E6TA 以其低导通电阻特性来提高整体效率。
• 电源转换器：可用于开关电源、DC-DC 转换器以及适配器，这些应用对效率和热性能有较高要求。
• 负载开关：尤其适合用于各类机械及电气设备的稳压且高效开关控制。
• 汽车电子：其宽工作温度范围和高可靠性使其在汽车电子设备应用中表现出色。

4. 优势

• 低导通电阻：40 毫欧的导通电阻能有效降低开关损耗，进而提高电路的整体能效。
• 高电流承载能力：4.3A 的连续漏极电流使其能够满足较高电流要求的应用，确保电路的稳定运行。
• 宽工作温度：-55°C 到 150°C 的工作温度范围适应性广，允许其在严苛环境中稳定工作。
• 小型封装：SOT-23-6 封装使其适合于空间受限的电子设计，方便电路板的布局与紧凑设计。

5. 结论

ZXMN2B03E6TA MOSFET 结合高效能、可靠性和优越的电气特性，是现代电子设备设计中不可或缺的元件之一。它不仅能在高频、高效的开关应用中展现优势，而且其较广的工作温度范围和良好的电流承载能力，更让它在各种严苛条件下成为理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域，ZXMN2B03E6TA 都展现出其出色的性价比，为设计工程师提供了一个强有力的工具，以满足不断变化的市场需求。