型号:

PUMH2,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:6-TSSOP
批次:-
包装:编带
重量:0.027g
其他:
PUMH2,115 产品实物图片
PUMH2,115 一小时发货
描述:数字晶体管 300mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-363
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.251
200+
0.162
1500+
0.14
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.6V@2mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.2V@100uA,5V
输入电阻47kΩ
电阻比率1
工作温度-65℃~+150℃

PUMH2,115 产品概述

在现代电子设计中,晶体管作为基本的电子元器件,广泛应用于放大、开关等多种电路中。PUMH2,115是一款由Nexperia(安世半导体)推出的高性能数字晶体管,采用双NPN预偏压设计,功能齐全,适用于多种复杂电子电路的需求。

产品特点

  1. 双NPN预偏置设计
    PUMH2,115具备两个NPN晶体管,用户可以轻松地在电路中实现并联或串联,用于增加电流增益或实现复杂的开关控制,极大地提高了设计的灵活性和效率。

  2. 高集电极电流能力
    该晶体管支持最大集电极电流( Ic)可达100mA,适用于需要较高输出电流的应用,能够有效驱动负载,这一点在汽车电子、工业控制以及消费电子产品中尤为重要。

  3. 高耐压特性
    PUMH2,115的集射极击穿电压最大值达到50V,使得该组件可以在较高电压的环境中稳定工作,非常适合用于电源管理和高电压开关应用。

  4. 优良的增益性能
    在电流条件下,PUMH2,115提供的直流电流增益(hFE)最小值为80(对应5mA,5V的条件),这意味着在较低的基极电流下也能实现较为理想的集电极电流,增强了电路的驱动能力。

  5. 低饱和压降
    在特定的工作条件下(如500µA的基极电流和10mA的集电极电流),该晶体管的饱和压降(vce)最大仅为150mV,这种低的压降能够提升电能的使用效率,减少功耗,适合于要求严格的低功耗设计。

  6. 低截止电流
    最大1µA的集电极截止电流,表明该器件在关闭状态下能够保持良好的电流隔离,降低了漏电流的影响,有助于提高产品的稳定性和可靠性。

技术参数

  • 功率处理能力:PUMH2,115的最大功率可达300mW,适合于各种典型的电子电路设计。
  • 封装类型:该晶体管采用表面贴装型封装(6-TSSOP),具有良好的散热性和结构稳定性,适合现代迷你型电路设计需求。
  • 产业供应链:作为Nexperia旗下产品,PUMH2,115有着稳定的供应背景和优秀的技术支持,能够满足大规模生产的需求。

应用场景

PUMH2,115广泛适用于多种电子产品中,主要应用场景包括但不限于:

  • 便携式设备:在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,作为开关元素或放大元件,支持高效的电流控制。
  • 汽车电子:在汽车电子控制模块中,处理较高的电流和电压需求,保证安全可靠的功能。
  • 工业自动化:在控制系统中作为信号放大和开关,助力工业设备的高效运行。
  • 消费电子:在家用电器、玩具等日常消费品中,实现安全和稳定的电流供应。

总结

综上所述,PUMH2,115是一款功能强大且灵活的数字晶体管,凭借其高集电极电流、高耐压和良好的增益性能,为众多电子应用提供了理想的解决方案。无论是在汽车、工业还是消费电子产品中,PUMH2,115均能展现出优越的性能,适应多变的市场需求。