型号:

PUMD2,125

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-363
批次:21+
包装:编带
重量:1g
其他:
PUMD2,125 产品实物图片
PUMD2,125 一小时发货
描述:数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-363
库存数量
库存:
791
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.545
200+
0.182
1500+
0.113
3000+
0.0899
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)60@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.7V@5mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)800mV@100uA,5V
输入电阻22kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

PUMD2,125 产品概述

一、产品基本信息

PUMD2,125 是一款高性能数字晶体管,采用60V 到 50V 的双极性NPN和PNP组合配置,特别适合多种电子电路应用。它的核心参数包括额定集电极电流(Ic)最大值为100mA、最大集射极击穿电压(Vce)为50V,以及最高功率为300mW。此产品被广泛应用于信号放大、开关控制和数字逻辑电路中,尤其是在紧凑型、低功耗的设计中,PUMD2,125 凭借其独特的设计和高效的特点,满足现代电子设备的需求。

二、技术指标

在技术规格方面,PUMD2,125 的性能强大且稳定,具备以下特点:

  • 电流 - 集电极 (Ic): 最大值为100mA,能适应高电流负载的应用设计。
  • 电压 - 集射极击穿 (Vce): 最高可达50V,确保元器件在高电压环境下安全可靠地运行。
  • 电流增益 (hFE): 在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)下,最小电流增益(hFE)可达60,且在5mA、5V条件下表现稳定。
  • 集电极截止电流最大值: 达到1µA,条件下表现出良好的静态漂移特性。

三、结构特征

PUMD2,125的封装为6-TSSOP(Thin Shrink Small Outline Package),采用SOT-363小型化设计,便于在空间受限的电路板上安装。这种表面贴装类型的封装不仅减少了占用的空间,还有助于提升整体的组件密度,适合现代电子产品小型化的趋势。

四、典型应用场景

PUMD2,125 具有广泛的应用场景,适合用于:

  1. 信号放大: 在音频设备、传感器线路中作为放大器运行。
  2. 开关控制: 可运用于开关电源、马达驱动等场合,作为控制开关元件。
  3. 数字电路: 适用于构建各种逻辑电路,灵活适应多种应用需求。
  4. 便携式设备: 因其低功耗特性,非常适合用于手机、平板电脑及其他便携式智能设备。

五、优点与特性

  1. 高效率: 具备较高的电流增益和集电极电流,同时在较低的饱和电压状态下运行,确保了高效能的转化效率。
  2. 低功耗: 适合低功耗电路,适应于求节能的现代电子设备。
  3. 应用广泛: 适用多个领域的产品设计,能够简化产品开发周期,加速市场推广。
  4. 热稳定性: 具备良好的热稳定性,能够在较高温度环境中可靠工作。

六、总结

Nexperia(安世)的 PUMD2,125 数字晶体管是一款性能优异、用途广泛的高效电子元器件。凭借其在集电极电流、电压击穿、功率处理能力等方面的卓越表现,PUMD2,125在诸多现代电子应用中显示出了显著的竞争力与潜力。无论是在传统的工业设备,还是在新兴的智能设备中,其出色的电力效率和体积优势都使其成为设计师的首选。如果您在寻找一款可靠、性能卓越的晶体管方案,PUMD2,125绝对能满足您的需求。