描述：场效应管(MOSFET) 5.7W；31.25W 60V 21.4A 1个N沟道 TO-252-2
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.12
100+
2.6
1000+
2.36
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)9.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)31mΩ@10V,9.1A
功率(Pd)5.7W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)670pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)17pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
SUD23N06-31-GE3 产品概述
产品简介
SUD23N06-31-GE3 是一种高性能 的 N 通道 MOSFET，由 VISHAY（威世）制造，具有优秀的电气特性和广泛的应用前景。该器件适合用于高效的开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动和其他一些要求高电流承载能力的电路设计。
主要参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：60V，能够支持多种应用场合的电压要求
- 工作电流（Id）：在25°C条件下的连续漏极电流为21.4A（Tc），提供较高的负载能力
- 驱动电压（Vgs）：最佳工作电压为4.5V和10V，适合大多数驱动电路
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V的驱动电压下，最大导通电阻为31毫欧，确保低功耗和高效率
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为3V @ 250µA，适用于广泛的输入信号
- 栅极电荷（Qg）：在10V下最大值为17nC，简单易驱动、适用于频繁切换的场合
电气特性
- 输入电容（Ciss）：在25V时最大值为670pF，保证了良好的开关特性，并能在高频应用中保持低失真
- 功率耗散：在环境温度（Ta）下最大功率耗散为5.7W，在结温（Tc）下可达31.25W，适应了高负载条件及散热设计
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C，广泛适用于各种环境条件，包括极端温度场合
封装特性
该 MOSFET 采用 TO-252 封装（D-Pak），同时具备良好的散热能力和占板面积小的特点，非常适合表面贴装技术（SMT）。封装设计为 TO-252-3，含2引线和接片（SC-63），确保良好的电气连接性能以及适用性。
应用领域
SUD23N06-31-GE3 由于其出色的电气性能，广泛应用于以下领域：
- 开关电源：在商用和工业级开关电源中，可用作输出开关，提供高效能实现低功耗
- DC-DC 转换器：作为高频切换元件，帮助优化能量转换，提高系统效率
- 马达驱动：在电动机控制电路中，该 MOSFET 提供优秀的电流承载特性，适用于多种电机类型
- LED 驱动：用于驱动大功率 LED 灯具，能够有效管理电流，提高亮度并延长使用寿命
总结
SUD23N06-31-GE3 MOSFET 是一款性能优越的 N 通道场效应管，凭借其低导通电阻、高温工作能力和优良的开关特性，为多种电子应用提供了理想的解决方案。无论是用于开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动还是 LED 驱动，均能有效提升系统性能。VISHAY 品牌的可靠性及产品的高性价比，更进一步使得 SUD23N06-31-GE3 成为设计工程师的首选之一。