型号:

BULD742CT4

品牌:ST(意法半导体)
封装:DPAK
批次:-
包装:编带
重量:0.475g
其他:
BULD742CT4 产品实物图片
BULD742CT4 一小时发货
描述:三极管(BJT) 45W 400V 4A NPN TO-252-2(DPAK)
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最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.21
100+
4.34
1250+
3.94
2500+
3.79
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)4A
集射极击穿电压(Vceo)400V
功率(Pd)45W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)25@800mA,3V
集电极截止电流(Icbo)250uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@3.5A,1A

产品概述:BULD742CT4 NPN晶体管

概述

BULD742CT4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能NPN型双极晶体管(BJT),专为高电流和高电压应用而设计。该器件的强大性能使其非常适合于各种电子电路,尤其是在涉及功率开关和放大器应用的场合。BULD742CT4结合了优良的热性能和高效率,广泛应用于工业、消费电子和电源管理等领域。

基本参数

BULD742CT4的主要参数如下:

  • 电流 - 集电极 (Ic):最大值为4A,适合于需要较大电流驱动的应用。
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):高达400V,使其能够承受较高的电压脉冲,增加了电路的稳定性。
  • Vce 饱和压降:在不同的集电极电流条件下,Vce饱和压降最大值为1.5V(在1A时)和3.5V(在3.5A时),这有助于提高功率转换效率。
  • 截止电流 (Ic):在集电极截止状态下,最大值为250µA,确保在非工作状态时的低漏电流。
  • DC电流增益 (hFE):在800mA的集电极电流和3V的Vce条件下,最小值为25,意味着晶体管在放大信号时具有良好的增益特性。
  • 功率 - 最大值:最大功率达到45W,适合于提供大功率输出的应用。
  • 工作温度:能够在高达150°C的结温下工作,确保其适应各种极端环境条件。

封装与安装

BULD742CT4采用TO-252(DPAK)封装,这种表面贴装型结构不仅有助于降低阻抗,还方便在现代电子设备中进行高效的散热管理。封装尺寸符合SC-63标准,适合于紧凑型电路布局。

应用领域

由于其卓越的电性能,BULD742CT4广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理:适用于高效率开关电源(SMPS)和DC-DC转换器,可以作为开关元件或功率放大器使用。
  2. 工业控制:能够控制高电压和大电流的工业设备,例如电动机驱动和阀门控制系统。
  3. 消费电子:在电视、音响和其他需要大功率驱动的消费电子设备中被广泛应用。
  4. 汽车电子:可以用于汽车照明、驱动和控制系统中,适应汽车环境的特殊需求。

结论

BULD742CT4是一款集高电流、高电压和优良热性能于一身的NPN晶体管,适合于各类需要高功率、低损耗和高效率的应用场景。其广泛的适用性和出色的性能特征,使其成为设计师和工程师在开发各种电子产品时的理想选择。

在设计电路时,充分利用BULD742CT4的特性可以有效提高系统的整体性能和可靠性。凭借稳健的设计和良好的热管理能力,BULD742CT4在现代电子领域中必将大放异彩。选择BULD742CT4,您将选择一个可靠的电子元器件解决方案,以满足您在高功率应用中的需求。