型号:

IRF7389TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SO-8
批次:-
包装:编带
重量:0.286g
其他:
IRF7389TRPBF 产品实物图片
IRF7389TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 29mΩ@10V,5.8A 30V 1个N沟道+1个P沟道 SOIC-8
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.32
100+
3.59
1000+
3.33
2000+
3.18
4000+
3.05
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)29mΩ@10V,5.8A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)650pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)130pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

IRF7389TRPBF 产品概述

概述

IRF7389TRPBF是一款性能优越的场效应管(MOSFET),适用于需求多样化的电源管理、电机驱动和开关控制等应用。这款器件由英飞凌(Infineon)出品,采用SO-8封装,具有良好的散热性能和紧凑的尺寸设计,使其在各种电子电路中都能实现高效的转换和控制功能。

主要参数

  1. 安装类型: 表面贴装型(SMD),方便电路板的自动化贴片和组装。

  2. 溪导通电阻(Rds(on)):

    • 在5.8A电流与10V栅极电压下,其最大导通电阻为29毫欧。这意味着在操作过程中可以有效降低功耗,提高效率,使得该器件非常适合高频开关应用。
  3. FET类型:

    • 包含一个N沟道和一个P沟道的场效应管,提供了良好的互补特性,能够容易地实现高效的信号处理与功率控制。
  4. 漏源电压(Vdss):

    • 最大漏源电压为30V,对于许多中低压应用而言,其电压范围足以满足需求。
  5. 工作温度范围:

    • 从-55°C到150°C,这一广泛的工作温度范围使得IRF7389TRPBF在严苛的环境条件下仍能正常工作,适用于汽车、工业和航空等应用。
  6. 输入电容(Ciss):

    • 在25V时最大输入电容为650pF,有助于降低开关损耗,提升开关频率下的性能。
  7. 栅极电荷(Qg):

    • 最大栅极电荷为33nC(在10V下),能够有效减少驱动电路上的负载,从而提高高速开关应用的性能。
  8. 阈值电压(Vgs(th)):

    • 在250µA下,栅源阈值电压最大为1V,使其在较低电压下也能有效导通,适合逻辑电平驱动。
  9. 功率额定值:

    • 最大功耗为2.5W,能够满足大多数小型电源管理需求,确保在允许范围内的高效工作。

应用领域

IRF7389TRPBF的设计使其适合广泛的应用领域,包括但不限于:

  • 电源开关: 高效的开关功能适合用于开关电源(SMPS),可以减少能量损耗,提高电源转换效率。
  • 电机驱动: 在电机控制中,提供优质的驱动和良好的热管理性能,提高电机运行的可靠性。
  • 逻辑电平转换: 作为逻辑电平门,适用于低电压逻辑电路中的信号传递和转换。
  • 逆变器及变流器: 在可再生能源系统(如太阳能、风能)中充当关键元件,参与电源的变换与调控。

结论

IRF7389TRPBF是一款具备高性能、广泛适用性的MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和适合逻辑电平的特性,成为许多现代电子产品的优选元件。无论是在电源管理、电机控制,还是信号处理领域,该器件均能提供出色的解决方案,致力于提升电路的总体性能和可靠性。通过采用IRF7389TRPBF,设计师能够满足当代电子产品日益严苛的性能需求,同时保持较低的功耗和良好的热管理特性。