描述：场效应管(MOSFET) 1W 100V 12.4A；47A 1个N沟道 VDFN3333-8
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
4
100+
3.33
1000+
3.03
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)47A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.8mΩ@10V,47A
功率(Pd)2.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.309nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)13.7pF@50V
工作温度-55℃~+150℃
DMT10H009LCG-7 产品概述
产品简介： DMT10H009LCG-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用表面贴装式 (SMD) VDFN3333-8 封装。该器件专为电源管理、高效开关和各种自动化及控制应用而设计，满足现代电子设备对功率管理、电流承载能力及热管理的需求。该 MOSFET 具备优良的导通特性和较低的导通电阻，适合在高温和高电压环境中工作。
关键参数：
电流能力：
- 在环境温度为 25°C 的条件下，DMT10H009LCG-7 的最大连续漏极电流（Id）为 12.4A，而在更冷却或更优质的热管理条件下，其最大电流可以达到 47A。这使其能够在多种功率要求的应用中稳定工作。
导通电阻：
- 在 Vgs 为 10V，Id 为 20A 的条件下，DMT10H009LCG-7 的最大导通电阻（Rds(On)）为 8.8毫欧。这一低导通电阻特性有效地提高了开关效率，并降低了由于功率损耗而产生的热量。
门极驱动电压：
- 该器件的驱动电压分为两档，分别为 4.5V 和 10V，具有多样化的应用选择，可兼容不同的驱动电路设计。Vgs(th) 的最大值为 2.5V，使得器件在较低的输入控制电压下也能实现导通。
耐压与工作温度：
- DMT10H009LCG-7 的漏源电压（Vdss）高达 100V，适用于各种中高压应用。同时，该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保设备在极端环境下也能稳定工作。
功率耗散能力：
- 该器件在 25°C 时的最大功率耗散为 1W，适合用于有限散热空间的应用中。高温操作的耐受能力使其成为适合汽车、工业控制及消费电子等领域的一种理想选择。
电容参数：
- DMT10H009LCG-7 在 Vds 为 50V 时的输入电容（Ciss）为 2309pF，结合较小的门极电荷（Qg，最大值为 20.2nC @ 4.5V）特性，显示出快速开关能力，适合高频应用。
应用领域： DMT10H009LCG-7 不仅适用于电源转换和管理，还广泛应用于以下领域：
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统
- 功率放大器
- 电机驱动控制
- 便携式电子设备
- 汽车电子及控制系统
总结： 总而言之，DMT10H009LCG-7 是一款性能卓越、可靠性极高的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围，能够满足多种高性能电子设备的需求。无论是在电力电子、汽车电子，还是在工业自动化与消费电子领域，DMT10H009LCG-7 都能发挥出显著的价值，是设计工程师在选型时理想的选择。通过采用创新的 VDFN 封装，它还保证了更小的占板面积，有助于实现更紧凑的设计布局。