型号:

UMD5NTR

品牌:ROHM(罗姆)
封装:UMT6
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
UMD5NTR 产品实物图片
UMD5NTR 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW;120mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SC-88
库存数量
库存:
9000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.393
200+
0.253
1500+
0.22
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)68@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)3V@2mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV
输入电阻47kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

UMD5NTR 产品概述

介绍

UMD5NTR 是来自 ROHM(罗姆)公司的高级数字晶体管解决方案,专为需要高效能和高可靠性的应用而设计。该产品融合了一对NPN和PNP双晶体管,提供灵活的电路设计选项,同时实现低功耗和高线性度特性。该产品主要侧重于数字电路和信号放大应用,满足现代电子设备对性能和空间效率的严苛要求。

关键特性

  1. 双晶体管设计: UMD5NTR 集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,这种设计使得其在电流驱动和信号切换场景中非常灵活。预偏压的配置简化了外部电路的设计,降低了对外部偏置电压的需求。

  2. 电流和电压规格: 该晶体管的集电极电流(Ic)最大值为 100mA,集射极击穿电压最大值为 50V,适应广泛的功率要求,能够满足多种不同电路设计的需求。

  3. 高增益特性: 在典型工作条件下,当 Ic 为 5mA,Vce 为 5V 时,其直流电流增益(hFE)的最小值可达到 68,而在 Ic 为 10mA 的情况下,hFE 则为最小 30。这一特性使得 UMD5NTR 在信号放大方面表现优异。

  4. 低饱和压降: 该产品的最大 Vce 饱和压降为 300mV,确保在低功耗状态下依然能够有效驱动负载,减少了功耗和发热。

  5. 微小的漏电流: 在集电极截止情况下,其最大漏电流为 500nA,极大提高了系统的能效,为便携式设备提供了更长的电池寿命。

  6. 高频应用能力: UMD5NTR 的频率跃迁达到 250MHz,能够满足高频信号处理的需求,尤其适合高速数字电路和无线通信应用。

  7. 小型封装: 采用表面贴装型(UMT6封装),尺寸紧凑,对PCB设计的友好程度高,非常适合空间受限的应用场景,支持自动化生产流程。

  8. 多种电阻选择: UMD5NTR的基极和发射极电阻配置,分别为47kΩ与4.7kΩ,47kΩ与10kΩ,为设计师提供了灵活的电路设计选项。

应用场景

UMD5NTR 适用于各种电子设备,包括但是不限于:

  • 消费电子:如智能手机、平板电脑、便携式音响等。
  • 自动化控制:电机驱动、开关电源、传感器接口等。
  • 通信设备:无线发射和接收模块,数据传输系统。
  • 工业设备:传感器信号放大、开关控制等。

结论

UMD5NTR 凭借其高性能、高可靠性和灵活性,成为设计师在众多电子产品设计中不可或缺的选择。其微型的封装和出色的电流增益特性使得它在竞争中脱颖而出,是现代电子设计领域中理想的高效器件。随着科技的快速发展,UMD5NTR 将在推动电子产品更加高效、紧凑、智能化方面发挥重要作用。