型号:

AON3611

品牌:AOS
封装:8-DFN(2.9x2.3)
批次:21+
包装:编带
重量:-
其他:
AON3611 产品实物图片
AON3611 一小时发货
描述:MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-共漏-30V-5A-6A-2.1W-2.5W-表面贴装型-8-DFN(2.9x2.3)
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.41
100+
1.13
750+
1.01
1500+
0.954
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)62mΩ@4.5V,3A
功率(Pd)1.6W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)520pF
反向传输电容(Crss@Vds)65pF
工作温度-55℃~+150℃

AON3611 产品概述

产品名称: AON3611
类型: MOSFET阵列
封装: 8-DFN(2.9x2.3)
品牌: AOS

一、产品背景

AON3611是AOS推出的一款高性能MOSFET阵列,设计用于多种电子设备中的电源管理和信号开关。其采用了先进的表面贴装技术,使得其在空间受限以及自动化焊接的应用场景中表现出色。该产品集成了N沟道和P沟道MOSFET,适应多种电路的需求,提供灵活的应用方案。

二、关键参数

  1. 安装类型: 表面贴装型
    AON3611采用表面贴装封装,提高了PCB布局的灵活性,非常适合现代电子设备的制造要求。

  2. 漏极电流 (Id): 5A(N沟道),6A(P沟道)
    漏极电流的能力使得AON3611能够有效驱动较高负载,适用于电源开关、马达驱动等需要强大电流输出的场合。

  3. 导通电阻 (Rds(on)): 最大值 50 毫欧 @ 5A, 10V
    较低的导通电阻有效减少了能量损耗,提高了整体效率,使其适合用于高效能的电源管理应用。

  4. 漏源电压 (Vdss): 30V
    满足中等功率应用的需求,适合控制电压范围内的各种负载。

  5. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
    广泛的工作温度范围确保了设备在极端环境下的稳定运行,适合用于工业和汽车等严苛环境中的应用。

  6. 栅极电荷 (Qg): 最大值 10nC @ 10V
    低栅极电荷使得AON3611在开关速度上表现优越,适合高频率开关操作,减少开关损耗。

  7. 输入电容 (Ciss): 最大值 170pF @ 15V
    较小的输入电容有助于提高开关速度和降低驱动功率的需求,为电路设计带来便利。

  8. 功率 - 最大值: 2.1W(N沟道)、2.5W(P沟道)
    合理的功率规格使得该器件可在小型应用中提供可靠的性能,而不易过热。

  9. 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 2.5V @ 250µA
    较低的阈值电压确保了在较低的驱动电压下就可以达到导通状态,提高了电源设计的灵活性。

三、应用场景

AON3611的设计使其适用于多种应用领域,包括但不限于以下几个方面:

  • 电源管理: 在DC-DC转换器和其他电源管理电路中充当开关,优化能量转换效率。
  • 马达驱动: 在智能家电或消费电子中的电机控制应用,提供良好的驱动性能。
  • 负载开关: 用于电源管理和控制的负载开关,适合各类电子消费产品。
  • 信号开关: 在通信和信号转发场合中,利用其快速开关特性提升信号传输效率。

四、总结

AON3611是一款功能强大、性能优越的MOSFET阵列,适用于需要高效能和低损耗的电源管理及驱动应用。其表面贴装封装、低导通电阻、广泛的工作温度范围及优良的开关特性,使其成为现代电子设计的理想选择。无论是在工业设备、车载电子还是消费类产品中,AON3611都能发挥其优势,实现高效、可靠的电气性能。