型号:

PUMH15,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:TSSOP-6
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
PUMH15,115 产品实物图片
PUMH15,115 一小时发货
描述:数字晶体管 300mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-363
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3000+
0.17
产品参数
属性参数值
晶体管类型2个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)30@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.9V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)500mV@100uA,5V
输入电阻4.7kΩ
电阻比率1
工作温度-65℃~+150℃

PUMH15,115 产品概述

产品简介

PUMH15,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款数字晶体管,专为高效能和低功耗电路设计而成,其具有两个 NPN 预偏置晶体管。这款器件在表面贴装类型(SMD)中具有广泛的应用场景,封装类型为 6-TSSOP(SOT-363),适用于现代电子设备的小型化和高集成度的要求。

主要特性

  1. 电流与电压规格:

    • 集电极电流 (Ic): 最大工作电流为 100mA,这使得其适合在中等功率的应用中使用。
    • 集射极击穿电压 (Vce): 最大承受电压为 50V,提供了良好的电气可靠性,适用于多种高压应用。
  2. 增益特性:

    • 该晶体管在特定条件下具有 DC 电流增益(hFE)的最小值为 30,测试条件为10mA 的集电极电流和 5V 的集电极电压,能够确保在低电流驱动情况下依然保持良好的性能表现。
  3. 饱和压降特性:

    • 当工作在饱和状态时,器件的 Vce 饱和压降最大值为 150mV(在500µA 和 10mA 的条件下),这降低了功耗,提高了整体的效率。
  4. 低截流电流:

    • PUMH15,115 在无工作情况下的集电极截止电流最大值仅为 1µA,意味着在待机模式下的功耗很低,有助于延长设备的电池使用时间。
  5. 功率处理能力:

    • 该器件的最大功率为 300mW,这使得它在小型化的电子设计中具备了良好的热管理能力。
  6. 安装和规格:

    • 封装形式为 6-TSSOP,适合表面贴装技术(SMT),便于高密度电路板布局设计。其小巧的体积使得 PUMH15,115 成为需要节省空间和紧凑设计的理想选择。

应用场景

PUMH15,115 可广泛应用于各类电子和电气设备,特别是在以下领域表现出色:

  1. 消费电子: 灵活的电流和电压规格使其适合用于手机、平板电脑、可穿戴设备等消费品中。
  2. 工业控制: 能够在中等电流和电压的条件下稳定运行,适用于工业应用中的传感器、开关及控制电路。
  3. 自动化设备: 在智能家居和自动化照明系统中亦可用作开关或放大器元件。

结论

综上所述,PUMH15,115 是一款高效、可靠且具备良好功率管理特性的数字晶体管。凭借其优异的电流增益、低饱和压降和小型化封装,这款器件不仅能够满足现代电子设计的高标准,同时也能在多种应用场合中提供稳定的性能表现。无论是在消费电子还是工业领域,PUMH15,115 都是设计人员的理想选择,能够助力产品创新和性能提升。