型号:

PDTA123JU,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-323-3
批次:20+
包装:编带
重量:1g
其他:
PDTA123JU,115 产品实物图片
PDTA123JU,115 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-323-3
库存数量
库存:
170
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.605
200+
0.201
1500+
0.125
3000+
0.0999
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)750mV@5mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)500mV@100uA,5V
输入电阻2.2kΩ
电阻比率21
工作温度-65℃~+150℃

产品概述:PDTA123JU,115

基本信息

PDTA123JU,115 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能 PNP 预偏置数字晶体管。该设备采用 SOT-323 封装,专为表面贴装(SMD)应用而设计,广泛应用于便携式电子产品、信号调理和开关应用等领域。它的最大功率可达 200mW,最大集电极电流为 100mA,使其在多种电流和电压环境下均能有效工作。

关键特性

  1. 电流增益(hFE)

    • PDTA123JU,115 在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)下,具有最小电流增益(hFE)达到 100,特别是在 10µA 和 5V 条件下。这保证了该晶体管在低功耗操作模式下的可靠性和稳定性。
  2. 饱和压降

    • 该器件具有低饱和压降特性,其 Vce 饱和压降在 250µA 和 5mA 的条件下最大值为 100mV。这一特性确保了在开关应用中能够保持较高的效率,从而减少能量损耗。
  3. 高电压和电流承受能力

    • PDTA123JU,115 的集电极截止电流(ICBO)最大值为 100nA,电压 - 集射极击穿(Vce)的最大值为 50V。这使其在大多数信号处理应用中能够承受较高的电压而不会出现失效,保障了电路的长期稳定性。
  4. 适用性

    • 由于其低功耗特性,该元件适合用于便携式设备、家庭自动化、消费电子、音视频设备及各种自动控制系统中。
  5. 电流和电阻

    • 该产品的基极电阻(R1)为 2.2 kΩ,发射极电阻(R2)为 47 kΩ,使其在不同工作条件下保持稳定的性能。同时,这个设计允许更灵活的电路布局,适应多种应用。

应用场景

PDTA123JU,115 在现代电子产品中具有广泛的应用场景。它理想适用于:

  • 信号开关和调节:尤其是在信号的开关控制和模拟信号的调节应用中,能够提供高增益和低功耗的解决方案。

  • 便携式电子产品:如手机、平板电脑、可穿戴设备等由于其小型化设计,可以轻松集成到紧凑的电路中。

  • 消费电子:音响、电视及其他家庭娱乐设备中,用于信号放大和开关控制。

  • 工业设备:在现代自动化控制系统中,PDTA123JU,115 可用于控制继电器、传感器等电子元件的开关。

结论

综上所述,Nexperia 的 PDTA123JU,115 是一款性能优越、应用广泛的 PNP 预偏置数字晶体管。它结合了低功耗、高性能和小型化设计,为各类电子产品的开发提供了优质的元器件选择。无论是在研发新产品,还是在电路设计与改进中,该晶体管都能够有效发挥其作用,帮助工程师实现各种创新功能。