型号：
BSS806NEH6327XTSA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：SOT-23-3
批次：24+
包装：编带
重量：0.06g
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 20V 2.3A 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存：
31784
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.529
200+
0.365
1500+
0.332
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）0.75V @ 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）1.7nC @ 2.5V
Vgs（最大值）±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）529pF @ 10V
功率耗散（最大值）500mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS806NEH6327XTSA1 产品概述
产品简介
BSS806NEH6327XTSA1是由英飞凌（Infineon）公司生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具备出色的电流承载能力和低导通电阻，适用于各种电子电路中的开关和线性调节应用。这款MOSFET以其小巧的SOT-23-3封装设计，为现代紧凑型电子设备提供了更优的空间利用效率。
基本参数
- FET 类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压 (Vdss): 20V
- 25°C 时的连续漏极电流 (Id): 2.3A（在环境温度为Ta时）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V（最大值），2.5V（最小值）
- 在不同 Id 和 Vgs 下的导通电阻（Rds On 最大值）: 57毫欧 @ 2.3A，2.5V
- 在不同 Id 时的门阈电压 (Vgs(th) 最大值): 0.75V @ 11µA
- 在不同 Vgs 下的栅极电荷 (Qg) 最大值: 1.7nC @ 2.5V
- 栅极源极电压 (Vgs 最大值): ±8V
- 在不同 Vds 下的输入电容 (Ciss) 最大值: 529pF @ 10V
- 功率耗散（最大值）: 500mW（在环境温度下）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 供应商器件封装: SOT-23-3
- 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
应用领域
BSS806NEH6327XTSA1适用于多种应用，包括但不限于：
- 开关电源: 在高效的DC-DC转换器中作为开关元件，利用其低导通电阻和快速开关速率，显著提高效率。
- 电机驱动: 在直流电机驱动电路中用作开关元件，控制电机的启停和调速。
- LED驱动: 在LED照明系统中，作为电流控制元件，以确保稳定的输出电流。
- 电池管理系统: 用于电池的开关断路器，以实现安全和高效的能量管理。
- 通讯设备: 适用于各种无线和有线通讯产品，提供稳定的电源控制。
性能优势
- 高效率: 由于具有低导通电阻（Rds On = 57 mΩ @ 2.5V），该MOSFET能有效减少功率损耗，提高整体电路的工作效率。
- 广泛的工作温度范围: 其-55°C至150°C的工作温度范围确保其在严苛环境条件下的稳定性和可靠性。
- 小型化设计: SOT-23-3封装适合小型化设计，便于在紧凑的电子系统中使用，为现代电子设备的设计提供了更多的灵活性。
结论
BSS806NEH6327XTSA1是一款高效、可靠的N沟道MOSFET，专为需要高电流和低导通电阻的应用而设计。该元器件不仅具备广泛的工作温度范围和优秀的电性能，还能够适应各种电路设计需求，是电子工程师们进行电路设计时不可或缺的优质组件。无论是在开关电源、电机驱动还是LED驱动等领域，BSS806NEH6327XTSA1都能为您的项目提供卓越的性能支持。