描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 240V 200mA 1个P沟道 SOT-89-3
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.65
1000+
1.53
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)240V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.8Ω@3.5V,100mA
功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)200pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)15pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
产品概述：ZVP4424ZTA P通道MOSFET
产品简介
ZVP4424ZTA是一款高性能的P通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），广泛应用于各种电子电路中，如开关电源、电机控制和线性调节等。该器件由DIODES（美台）公司推出，在SOT-89-3封装中提供出色的电气性能和可靠性，尤其适合于要求较高的工作环境。
基本参数
ZVP4424ZTA的主要参数如下：
- FET类型：P通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：240V
- 连续漏极电流（Id）：200mA @ 25°C
- 驱动电压：3.5V（最小 Rds On），10V（最大 Rds On）
- 导通电阻（Rds On）：最大值9Ω @ 200mA、10V
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值2V @ 1mA
- 最大Vgs：±40V
- 输入电容（Ciss）：最大值200pF @ 25V
- 功率耗散：最大值1.5W @ Ta
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装类型：SOT-89-3
特性及优势
高电压和电流处理能力：ZVP4424ZTA能够承受高达240V的漏源电压，同时具备200mA的连续漏极电流，适用于高压和中等功率的应用场合。
低导通电阻：在高达200mA的电流下，其导通电阻保持在9Ω以下，这有助于降低功率损耗和提升电路的效率。
宽广的工作温度范围：该产品的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在恶劣环境下稳定工作，特别适用于工业和军事领域。
小巧的封装：采用SOT-89-3封装，ZVP4424ZTA体积小巧，方便在空间受限的电路设计中使用，适合现代电子设备的设计需求。
高驱动电压灵活性：产品支持3.5V到10V的驱动电压范围，用户可以根据不同应用灵活选择，提高了电路设计的灵活性。
应用场景
ZVP4424ZTA适用于多种电子应用，包括：
- 开关电源：在DC-DC转换器中作为开关元件，能够高效地控制电源传输。
- 电机驱动：在小型电机控制电路中，可以作为开关元件进行电机启停控制。
- 线性调节：可用于高效的线性稳压器设计，维持电源稳定性。
- 电源管理：用于电源管理 IC 中，帮助降低系统功耗及提升能效。
结论
ZVP4424ZTA是一款高效、可靠的P通道MOSFET，具备较高的耐压、适中的连续电流能力及低导通电阻。在各种电源管理和控制应用中，它都能够提供卓越的性能表现。此外，广泛的工作温度范围和紧凑的封装设计使其在现代电子产品中保持了一席之地。无论是高压应用还是强烈温度波动的工业环境，ZVP4424ZTA都能满足苛刻的要求，是电子工程师在设计和开发中的理想选择。