描述：三极管(BJT) 1.5W 80V 3A NPN TO-225-3
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1.33
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)100V
功率(Pd)12.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)50@100mA,1.0V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)1.7V@3.0A,600mA
工作温度-65℃~+150℃
MJE182G 产品概述
MJE182G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款高性能 NPN 型功率晶体管，广泛应用于各种电子电路中，包括放大器电路、开关电源、功率放大器以及其他需要高电流和高电压控制的场景。该器件在设计中采用了良好的材料和先进的制造工艺，确保其在高负载和恶劣环境下的工作稳定性。
主要参数
MJE182G 的一些关键信息如下：
- 制造商：ON Semiconductor
- 类型：NPN 晶体管
- 封装：TO-225AA（也称 TO-126-3），这种封装形式适合通孔安装，便于在 PCB 板上进行焊接
- 额定功率：最大1.5W，适用于多种功率电路
- 最大集电极电流（Ic）：3A，适合大电流输出场合
- 最大集电极 - 发射极电压（Vce）：80V，允许在高电压环境下工作
- 饱和压降（VceSat）：1.7V @ 600mA，低饱和压降特性能提高电路的效率
- 截止电流（ICBO）：最大的集电极截止电流为100nA，减少漏电流影响
- 直流电流增益（hFE）：在100mA，1V下，hFE的最小值为50，优秀的增益性能使得其在信号放大方面表现出色
- 频率 - 跃迁：50MHz，适合高速开关应用
- 工作温度范围：-65°C ~ 150°C，这一广泛的工作温度范围使其在不同环境下都能稳定可靠地运行
应用领域
由于其优越的电气特性，MJE182G 被广泛应用于各种电源供应、医疗设备、电机控制、开关模式电源 (SMPS)、音频放大器等领域。高电流和电压能力的特性，使得该晶体管在功率放大、电机驱动以及线性放大电路中具有重要地位。
性能优势
高效能和稳定性：MJE182G 的设计使其在高载荷和高温环境下表现稳定，适合严苛的工作条件。其低饱和压降特性使得设备在高电流工作时减少了能量损失，提高系统效率。
优异的增益特性：该晶体管在较低的输入电流下能够提供较高的集电极电流，适合需要高增益的放大应用。无论是在信号放大还是驱动负载方面，其性能表现都相当出色。
卓越的频率响应：MJE182G 的跃迁频率高达50MHz，使其适合用于要求快速开关的应用，如开关电源和高频放大器。
宽广的工作温度范围：在-65°C到150°C的温度范围内均能保持良好的性能，使其在航天、军事及工业控制领域具有广泛应用前景。
结论
总之，MJE182G 是一款十分优秀的 NPN 功率晶体管，其高电流和电压能力、良好的增益特性以及宽广的工作温度范围，使其成为电子设计中不可或缺的组件。无论是在专业设备还是消费电子领域，其广泛的适用性和出色的性能表现，都为用户带来了诸多便利。安森美半导体凭借卓越的技术和优质的产品，在全球范围内赢得了良好的声誉，MJE182G 作为其代表性产品，正是其技术实力的体现。