型号:

DESD5V0S1BL-7B

品牌:DIODES(美台)
封装:X1-DFN1006-2
批次:-
包装:编带
重量:0.01g
其他:
DESD5V0S1BL-7B 产品实物图片
DESD5V0S1BL-7B 一小时发货
描述:Diode: TVS; 130W; 5.5÷9.5V; 12A; bidirectional; X1-DFN1006-2; Ch: 1
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商品单价
梯度内地(含税)
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0.113
10000+
0.0927
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压14V
峰值脉冲电流(Ipp)12A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)130W
击穿电压5.5V
反向电流(Ir)5nA
通道数单路
工作温度-65℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容35pF

DESD5V0S1BL-7B 产品概述

一、产品简介

DESD5V0S1BL-7B 是一款由 DIODES(美台)公司生产的双向齐纳瞬态电压抑制二极管(TVS),它专为电源线路保护、信号线保护和其它电子元器件保护应用而设计,尤其适用于对瞬态电压变化敏感的电路。其卓越的反向电压能力和快速响应特性,使其成为各种电子设备和电路保护的理想选择。

二、主要特性

  1. 双向电压抑制:DESD5V0S1BL-7B 具有双向通道设计,能够在正向和反向电压作用下均有效抑制瞬态电压,有效保护敏感元器件,防止过电压引起的损毁。

  2. 击穿电压:其击穿电压范围在5.5V至9.5V之间,典型反向断态电压为5V,能够满足多种应用场合对电压的需求。

  3. 高峰值脉冲电流能力:该器件能够承受高达12A的峰值脉冲电流(基于10/1000µs脉冲),并在8/20µs脉冲时仍能维持130W的峰值功率,保证电路在瞬态情况下的安全。

  4. 低电容特性:在1MHz频率下,DESD5V0S1BL-7B的电容值为35pF,适合用于高频模拟信号或数据线路,能够避免对信号质量的负面影响。

  5. 宽工作温度范围:其工作温度范围从-65°C到150°C,保证了在极端环境下的可靠性,适合各种苛刻的获取及工业应用。

  6. 紧凑封装:DESD5V0S1BL-7B采用0402(1006公制)表面贴装封装,适合现代小型化电子设备的设计要求,能够节省PCB空间并提升组装效率。

三、应用场合

DESD5V0S1BL-7B 广泛应用于以下场合:

  • 消费电子:智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中,保护敏感的数字接口和电源线路。

  • 工业设备:如PLC、传感器和自动化控制系统中的电源和信号线路保护。

  • 通信设备:用于防止雷击、ESD(静电放电)引起的过电压,保护数据的完整性。

  • 汽车电子:在汽车电子系统中,为车载网络、中央控制单元和传感器供电线路提供保护,确保在电气噪声和瞬态情况发生时不会损坏。

四、总结

DESD5V0S1BL-7B 是一款行业领先的双向齐纳瞬态电压抑制器,其优异的电压和电流特性,配合小巧的封装设计,使其在众多应用领域中都能出色地提供保护。在电子产品日益复杂与微型化的今天,选择合适的保护元件显得尤为重要。DESD5V0S1BL-7B 不仅满足各种设计需求,同时也为产品的可靠性和安全性提供了坚实的保障。

如果您正在寻找一款性能优良、可靠性高的瞬态电压抑制器,DESD5V0S1BL-7B 无疑是您理想的选择。