型号:

ZXTP2013ZTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT89
批次:2年内
包装:编带
重量:0.086g
其他:
ZXTP2013ZTA 产品实物图片
ZXTP2013ZTA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2.1W 100V 3.5A PNP SOT-89-3
库存数量
库存:
2040
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.73
1000+
1.6
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3.5A
集射极击穿电压(Vceo)100V
功率(Pd)2.1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@1A,1V
特征频率(fT)125MHz
集电极截止电流(Icbo)20nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)230mV@4A,400mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

ZXTP2013ZTA 产品概述

概述

ZXTP2013ZTA 是一款高性能的PNP晶体管,由美台(DIODES)公司制造,采用表面贴装型(SMD)封装,封装类型为SOT-89-3。这款晶体管专为中等功率应用而设计,具备出色的电气性能,适用于多种电子电路以及功率控制的场景。

基本参数

ZXTP2013ZTA 的主要参数包括:

  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 3.5A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 100V
  • 饱和电压 (Vce(sat)): 在400mA的电流下,最大饱和电压为300mV;在4A的条件下,仍为300mV
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大值为20nA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值为100(在1A及1V条件下)
  • 最大功率: 2.1W
  • 频率特性: 跃迁频率为125MHz
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C

这些参数表明ZXTP2013ZTA可以在高电流、高电压的环境下工作,适合电源管理、开关应用和放大电路中使用。

应用场景

ZXTP2013ZTA 适用于多种电子设备和电路,尤其是在以下应用中表现突出:

  1. 电源开关: 由于其较高的Ic和Vce,ZXTP2013ZTA可用于高效的电源开关,控制电流的导通与断开。
  2. 线性放大: 在音频放大或信号放大电路中,PNP晶体管的低噪声和高线性度能够确保信号传输质量。
  3. 转换开关: 在各种电子设备中,比如可编程逻辑控制器和微处理器模块,ZXTP2013ZTA能高效地实现电源和信号切换。
  4. 继电器驱动: 用于继电器的驱动时,ZXTP2013ZTA能够提供所需的开关电流,满足继电器的激活需求。
  5. 传感器接口: 在传感器电路中,PNP晶体管的性能可以用于有效的信号调节和控制。

设计考量

在使用ZXTP2013ZTA时,设计师需要确保晶体管的工作在其规定的电压和电流范围之内,以确保系统的稳定性和可靠性。同时,要考虑到散热问题,确保晶体管在较高功率运行时不会过热。合适的散热设计能够延长器件的使用寿命并保证电路性能。

封装与安装

ZXTP2013ZTA 采用的SOT-89-3封装适合表面贴装技术(SMT),使得其在现代电子产品的生产与组装过程中更具优势。小巧的封装可以使电路设计更加紧凑,适应对空间有严格要求的应用。

小结

ZXTP2013ZTA是一款高效、可靠的PNP型三极管,具有广泛的适用性和优秀的电气性能。无论是在高电流的开关应用,还是在要求高增益的信号放大中,它都能表现出色。随着电子技术和应用的不断发展,ZXTP2013ZTA无疑会在许多新兴应用中发挥重要作用。对于需要高效能和严苛环境下的电子设计工程师而言,ZXTP2013ZTA是一种理想选择。