型号:

ZXT10P40DE6TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT26
批次:5年内
包装:编带
重量:-
其他:
ZXT10P40DE6TA 产品实物图片
ZXT10P40DE6TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1.1W 40V 2A PNP SOT-23-6
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.72
100+
1.38
750+
1.23
1500+
1.16
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)8.8W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)180@1A,2V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)220mV@1A,100mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:ZXT10P40DE6TA PNP晶体管

基本信息

ZXT10P40DE6TA是一款高性能的PNP型晶体管,广泛应用于各类电子电路中,特别是在需要放大和开关功能的场合。其最大集电极电流为2A,最高工作电压可达40V,适合在中高功率的电路设计中使用。这款晶体管采用先进的表面贴装技术 (SMD),具体封装为SOT-23-6,方便在现代电子设备的小型化和高功能化趋势中得到广泛应用。

关键特性

  1. 电流能力:ZXT10P40DE6TA的最大集电极电流(Ic)可达2A,使其能够处理较大电流负载,适合电机驱动、开关电源以及音频放大器等高功率应用。

  2. 电压规范:该器件的集射极击穿电压(Vceo)最大值为40V,确保在高电压环境下的稳定性和安全性,这对于许多要求较高电压的应用来说是个重要特性。

  3. 饱和压降:在高负载情况下(例如2A电流下),该晶体管的饱和压降最大为300mV,表示低功耗的特性,能在电流开关过程中提供高效能,减少发热量,从而提高整体电路的工作效率。

  4. 直流电流增益:其最低直流电流增益(hFE)为180,表示在驱动小信号输入时,能够得到优秀的信号放大效果。这使得ZXT10P40DE6TA非常适合用作前级放大器或信号调理电路的核心组件。

  5. 频率响应:产品的跃迁频率高达190MHz,使其适用于高速开关应用及射频电路,这对于实现高频率操作至关重要,尤其在专业音频和无线通讯设备中尤为突出。

  6. 广泛的工作温度范围:ZXT10P40DE6TA的工作温度范围从-55°C到150°C,确保其在极端环境下的可靠性,非常适合航空航天、汽车及工业控制应用。

  7. 封装类型:其SOT-23-6封装设计,使得该晶体管适应多种电路板布局,并便于自动贴装,提高生产效率。

应用场景

ZXT10P40DE6TA可广泛应用于:

  • 开关电源:在电源管理电路中,可以作为高效的开关器件;
  • 功率放大器:在音频增强或RF应用中,作为驱动放大器使用;
  • 马达驱动:在电机控制和驱动电路中作为开关组件,以控制马达的启动和运行;
  • 信号放大:在传感器信号调理和放大中充当主要的放大元件,保证信号质量。

总结

ZXT10P40DE6TA凭借其卓越的性能和多样化的应用,成为设计工程师在开发高效、可靠电子设备时的理想选择。无论是在日常消费电子产品,还是在需要高功率和高频响应的专业设备中,ZXT10P40DE6TA都展现出独特的竞争力。搭配其出色的热性能和电气特性,使其成为电子设计中不可或缺的重要元件。