型号:

TS3702IDT

品牌:ST(意法半导体)
封装:8-SO
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
TS3702IDT 产品实物图片
TS3702IDT 一小时发货
描述:比较器 82dB 5mV 2.7V~16V;1.35V~8V 1pA SO-8
库存数量
库存:
6890
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.31
2500+
1.25
产品参数
属性参数值
输入失调电压(Vos)5mV
输入偏置电流(Ib)1pA
共模抑制比(CMRR)82dB
工作电压2.7V~16V;1.35V~8V
输出类型推挽
输出模式CMOS
工作温度-40℃~+125℃

TS3702IDT 产品概述

概述

TS3702IDT 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能双路比较器,采用8-SOIC封装,设计用于广泛的电压监测和信号比较应用。该器件支持的供电电压范围为2.7V至16V,适用于各种射频(RF)和模拟信号处理电路。凭借出色的输入偏置电流与输出驱动能力,TS3702IDT 能够在多种环境条件下稳定运行,具有优良的性能和可靠性。

关键特点

  1. 类型与功能:TS3702IDT 为双路CMOS比较器,采用推挽输出结构,确保在不同负载条件下都能提供快速的响应时间。

  2. 电压范围:其输入电压范围高达16V,且支持单电源和双电源供电配置,使其能够适应多种电源方案和系统设计需求。

  3. 高性能

    • 输入补偿电压:最大为5mV @ 10V,意味着该比较器能在高电压应用中保持高精度。
    • 输入偏置电流:相对较低的输入偏置电流(最大1pA @ 5V)使得该器件在高阻抗信号的应用下表现卓越,避免了不必要的信号失真。
    • 输出电流:提供20mA的输出电流,适合驱动多种负载。
  4. 功耗与工作模式

    • 静态电流:最大为25µA,有助于降低在待机模式下的功耗,适合于便携式设备和电池供电的应用。
    • CMRR与PSRR:额定的共模抑制比(CMRR)与电源抑制比(PSRR)均达到82dB,保障了器件在噪声存在的环境中保持良好的输出稳定性。
  5. 宽工作温度范围:TS3702IDT 的工作温度范围广泛,从-40°C到125°C,非常适合工业、汽车和其他恶劣环境应用,确保在不同温度条件下的可靠性。

  6. 封装与安装:采用8-SO封装,表面贴装设计使其适用于现代电路板设计,能够在空间有限的电子产品中轻松集成。

应用场合

TS3702IDT 可广泛应用于以下场合:

  • 信号比较:在模数转换器、超声波测距、温度测量系统等场景中,TS3702IDT 可用作信号比较器,进行精确的阈值比较。
  • 电压监测:可用于电源管理系统中的电压监测与警报功能,确保对电源状态的快速响应。
  • 波形整形:在音频处理、信号整形等应用中,该比较器可用于将模拟信号转换为数字信号,提供清晰的波形输出。
  • 过压保护:运用于过压保护电路,可以实时监测电路中的电压并做快速响应,防止设备损坏。

结论

TS3702IDT 作为高性能的双路比较器,结合了优良的电气性能、宽广的供电电压范围和可靠的工作温度范围,使其成为现代电子设计中不可或缺的组件之一。无论是在工业、汽车还是消费电子的应用中,TS3702IDT 都能够满足严格的性能要求,为工程师提供稳定、可靠的解决方案。