型号:

MMUN2211LT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
批次:2年内
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
MMUN2211LT1G 产品实物图片
MMUN2211LT1G 一小时发货
描述:数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存数量
库存:
299
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.506
200+
0.168
1500+
0.105
3000+
0.0836
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)246mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)35@10mA,10V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)2.5V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.2V@100uA,5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)200mV
输入电阻10kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:MMUN2211LT1G 数字晶体管

基本信息

MMUN2211LT1G 是一种高性能的数字晶体管,属于 NPN 型预偏压晶体管,主要用于开关和放大电路中。该器件由知名半导体供应商 ON Semiconductor(安森美)推出,具有良好的电气性能和可靠性,适合多种电子应用场景。

结构与封装

该晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,规格为 SOT-23-3(TO-236),具备三针引脚配置。这种封装形式的优点在于体积小、重量轻,适合现代电子设备对空间和重量的严格要求,因此广泛应用于便携式设备和高密度电路板。

基本参数

  • 晶体管类型:NPN(负极型)晶体管
  • 最大集电极电流 (Ic):100 mA
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大 50 V
  • 基极电阻 (R1):10 kΩ
  • 发射极电阻 (R2):10 kΩ
  • 电流增益 (hFE):在 5 mA 和 10 V 时,最小增益为 35
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在 300 µA 和 10 mA 时,最大饱和压降为 250 mV
  • 集电极截止电流 (Ic(off)):最大 500 nA
  • 最大功率:246 mW

性能特点

MMUN2211LT1G 的设计使其非常适合用于低功耗开关操作,该器件在饱和状态下表现出较低的压降,有利于提高系统效率。其最小 DC 电流增益 (hFE) 在低电流条件下仍可达到 35,使其在大多数应用中都能够提供足够的放大能力。

此外,该器件的集电极截止电流(500 nA)非常低,适合用于需要高阻抗状态的应用,如信号传输和信号处理电路。这种特性使得 MMUN2211LT1G 成为现代低功耗电子设备的理想选择,特别是在电流敏感的应用场合下。

应用场景

MMUN2211LT1G 被广泛应用于多种电路和设备,包括:

  1. 开关电路:可靠的开关性能使其适合用于电源管理和信号切换。
  2. 放大器:可用于音频放大器和射频放大器中,帮助增强信号强度。
  3. 数字电路:在数字电路中作为开关元件,控制逻辑电平。
  4. 便携式电子设备:其低功耗特性使其非常适合用于手机、平板电脑及其他便携式工具。
  5. 传感器接口:可以作为传感器信号的放大器,提升传感器输出的可信度。

结论

MMUN2211LT1G 数字晶体管凭借其出色的性能和广泛的应用潜力,成为许多电子设计工程师的首选组件。其小巧的体积、优异的电气特性、可靠的工作条件使其适应现代电子产品对高效能和高集成度的需求。在未来的发展中,MMUN2211LT1G 将继续发挥重要作用,推动电子技术的进步与创新。