型号:

FZT751QTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:2年内
包装:编带
重量:1g
其他:
FZT751QTA 产品实物图片
FZT751QTA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 3W 60V 3A PNP SOT-223-3
库存数量
库存:
1627
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.879
1000+
0.81
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)60V
功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@1A,2V
特征频率(fT)140MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@1A,100mA
工作温度-55℃~+150℃

FZT751QTA 产品概述

概述

FZT751QTA 是一款由 DIODES(美台公司)生产的高性能 PNP 型晶体管,适用于各种电子应用,如开关电源、信号放大、功率放大等。该晶体管具有出色的电压和电流承载能力,支持高频操作且在恶劣环境下仍能正常工作,成为电子工程师和设计师的理想选择。

产品规格

  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 3A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 60V
  • 饱和电压 (Vce(sat)): 600mV @ 300mA,包含在最大集电极电流达 3A 时的性能参数
  • 集电极截止电流 (ICBO): 100nA(最大值),保证了良好的漏电特性
  • 直流电流增益 (hFE): 最低值为 100,适用于500mA电流和2V工作条件,能够满足不同设计需求
  • 最大功率(Pmax): 3W,支持较高功率负载
  • 跃迁频率: 140MHz,适用于高频设计
  • 工作温度范围: 从-55°C ~ 150°C,适合高温、高压等苛刻环境
  • 安装方式: 表面贴装型(SMD),便于自动化组装
  • 封装类型: TO-261-4,TO-261AA,且供应商器件封装为 SOT-223,符合现代小型化设计趋势

应用领域

FZT751QTA 特别适用于低电压、大电流应用场合,广泛用于以下几种应用:

  1. 开关电源: 在高频开关电源中可用于信号调制和功率放大。
  2. 音频放大器: 用于音频信号的处理,提高音频质量。
  3. 信号切换: 在数据传输和控制信号中提供高效的开关解决方案。
  4. 功率管理: 作为电源管理电路中的关键元件,确保电流和电压的稳定。
  5. 家电控制: 在各种家用电器的控制电路中起到重要作用。

性能优越性

FZT751QTA 的设计考虑了多种应用环境,其高功率和高电压承载能力,确保了在高负荷条件下的可靠性。而且,600mV 的饱和电压在 300mA 电流下表现良好,降低了功耗,帮助提高整体系统的能效,能够有效延长设备的使用寿命。

此外,140MHz 的跃迁频率使得其在高速信号应用中也能够保持稳定性和良好的信号完整性。这一特性尤其适合现代通信和数据传输系统中对高频响应的要求。

结论

FZT751QTA 是一款兼具高性能和高可靠性的 PNP 晶体管,非常适合需要在苛刻环境下运行的多种电子应用。由于其卓越的电气特性和紧凑的封装形式,它不仅帮助工程师简化设计流程,还能提高产品的整体性能和可靠性。凭借 DIODES(美台公司)在半导体领域的丰富经验,该产品在市场上得到了广泛认可,成为许多电子设计项目的首选器件。对于追求高效、稳定与小型化解决方案的设计师而言,FZT751QTA 无疑是一个值得推荐的优质选择。