DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7 产品概述

DMN2400UFB4-7 是一款高性能 N 通道MOSFET (金属氧化物场效应管)，由知名电子元器件制造商DIODES（美台）生产。该器件具有优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、负载开关、以及其他高频率、高效率的电子电路中。其高达750mA的连续漏极电流和20V的漏源电压，使其适合用于多种应用场合，尤其对小型化和高效率要求较高的场合，有着不可替代的优势。

技术规格

DMN2400UFB4-7 的一些基础参数包括：

• FET 类型: N 通道，适合用于高效的开关和放大应用。
• 技术: MOSFET（MOS场效应管），在高频应用中表现出色，具有很低的开关损耗。
• 漏源电压 (Vdss): 最高可达20V，适合低电压开关应用。
• 连续漏极电流 (Id): 可达750mA（在25°C的环境温度下），提供了良好的负载能力。
• 最大 Rds On 导通电阻: 在4.5V的栅极驱动下，导通电阻可低至550毫欧，这意味着在高电流条件下具有较低的功耗。
• Vgs(th)（栅源阈值电压）: 在250µA漏极电流时，最大值为900mV，确保了在低压条件下也能有效驱动。
• 栅极电荷 (Qg): 仅为0.5nC @ 4.5V，使其在快速开关应用中特别出色。

功率与性能

DMN2400UFB4-7 的最大功率耗散为470mW，能够有效地处理符合其额定值的热量而不至于损坏。其工作温度范围从-55°C 到150°C，使其适用于极端环境下的应用，适合高温工业、汽车电子、以及航空航天等行业。该器件化的表面贴装设计（X2-DFN1006-3封装）使其方便在现代紧凑型电路中进行布线和安装，大大节省了空间。

应用场景

DMN2400UFB4-7 拥有广泛的应用潜力，包括但不限于：

1. 电源管理：用于开关电源中，可以提高电源转换的效率，降低功耗。
2. 负载开关：在各种电子设备中用作负载开关，可以有效地控制电流，延长设备的使用寿命。
3. 汽车电子：高温工作能力使其特别适合用于汽车电子设备中，例如电动汽车的电池管理系统（BMS）。
4. 消费电子：在智能手机、平板电脑等小型电子产品中，可用于快速充电和电池切换的驱动开关。

总结

综上所述，DMN2400UFB4-7 是一款性能优良、适应性广泛的N通道MOSFET。其卓越的导通性能、低开关损耗以及宽广的工作温度范围，确保了它在多个领域均可发挥重要作用。无论是需要高效电源管理的商业应用，还是严格要求温度和物理尺寸的工业与汽车电子产品，DMN2400UFB4-7都能够满足设计需求。选择DMN2400UFB4-7，将是您电路设计中的明智之选。