STD5N60DM2

产品概述：STD5N60DM2 N沟道MOSFET

概览

STD5N60DM2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道MOSFET，专为高压应用设计，具有600V的漏源电压（Vdsmax）和高达3.5A的连续漏极电流（Id）。它不仅具备强大的功率处理能力（最大功率耗散达45W），而且通过优化的导通电阻（Rds(On)），提供更高的能效和更低的热管理需求，使其成为广泛应用于电源管理、开关电源和电机控制等领域的理想选择。

主要参数

• 类型：N沟道MOSFET
• 技术：金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）
• 漏源电压（Vdsmax）：600V
• 连续漏极电流（Id）：3.5A（在25°C时）
• 最大导通电阻（Rds(On)）：1.55Ω（在1.75A和10V时）
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大为5V（在250µA时）
• 栅极电荷（Qg）：最大为8.6nC（在10V时）
• 最大栅源电压（Vgsmax）：±30V
• 输入电容（Ciss）：375pF（在100V时）
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
• 封装类型：DPAK（TO-252型）

应用领域

由于其优异的电气特性，STD5N60DM2广泛应用于多个领域，包括但不限于：

1. 开关电源：在各种电源转换电路中，STD5N60DM2能够有效地开关并控制能量流动，降低整体功耗。
2. 电机驱动：在电动机驱动领域，与PWM（脉宽调制）控制结合使用时，能够实现高效的电能转换和优化的热管理。
3. LED驱动：在LED照明和显示应用中，通过调节电流，提升亮度控制精度和能效。
4. 自动化与工业控制：在工业自动化设备中，能够通过其快速开关特性提升系统响应速度与效率。

性能优势

• 高压能力：600V的电压承受能力使STD5N60DM2适合用于高可靠性和高电压系统，能够满足电力传输与转换的设计需求。
• 低导通电阻：较低的Rds(On)减少了在工作过程中的功率损耗和发热，提升了装置的整体效率，延长了器件的使用寿命。
• 宽工作温度范围：-55°C到150°C的广泛工作温度范围，确保了产品在极端环境中仍能稳定运行，适用于各种工业和消费级应用。
• 小型化设计：其DPAK封装具备表面贴装型的设计，可以在空间受限的应用中发挥优势，方便集成到多种电路板中。

结论

STD5N60DM2 N沟道MOSFET凭借其卓越的性能、可靠性及效率，成为高压电源管理、电动机驱动和其他工业应用的重要元件。意法半导体凭借其丰富的半导体产品线和深厚的技术积累，提供令客户信赖的解决方案，为各种电气工程项目助力。无论是在高电压领域的应用，还是在对能效要求日益提高的现代电子设备中，该MOSFET均展现出其不可替代的重要性。