型号:

IRFL214TRPBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:SOT-223
批次:-
包装:盒装
重量:0.306g
其他:
IRFL214TRPBF 产品实物图片
IRFL214TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2W;3.1W 250V 790mA 1个N沟道 SOT-223-4
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商品单价
梯度内地(含税)
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2.27
100+
1.74
1250+
1.51
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)790mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@10V,0.47A
功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)140pF
反向传输电容(Crss@Vds)9.6pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述: IRFL214TRPBF

一、基本信息

IRFL214TRPBF 是一款由知名厂商 VISHAY(威世)生产的 N 通道 MOSFET,这款器件专为高效能开关和放大应用设计,具有卓越的电气性能和可靠性。其典型应用可涵盖各种电子电路,例如电源管理、马达驱动和照明控制等领域。

二、主要参数

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: 金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)
  • 漏源电压 (Vdss): 250V,适合高电压环境
  • 连续漏极电流 (Id): 790mA (在控制器温度 Tc 下)
  • 驱动电压: 最大 Rds On 和最小 Rds On 为 10V,便于实现合理的开关损耗
  • 导通电阻 (Rds On): 在 10V 和 470mA 时最大值为 2Ω,确保电路中的功耗较低
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 4V @ 250µA,适合低电压驱动条件
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 8.2nC @ 10V,反映出其驱动过程中所需的电量
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 140pF @ 25V,低输入电容优势可提高开关频率
  • 功率耗散 (Pmax): 在环境温度 (Ta) 为 25°C 时最大为 2W,而在结温 (Tc) 下最大为 3.1W,适应多种冷却条件
  • 工作温度: 适用于-55°C 至 150°C 范围,确保在极端环境下的稳定性
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),节省空间并提高组装效率
  • 封装: SOT-223,为紧凑设计提供便利

三、应用领域

IRFL214TRPBF 的高电压和中等电流能力使其在许多应用中表现出色,包括但不限于:

  1. 开关电源: 适用于AC/DC转换器、DC/DC变换器,提供高效能的电源管理。
  2. 马达驱动: 应用于直流马达的控制与驱动,为工业自动化与机器人技术提供支持。
  3. LED驱动: 作为LED驱动电路中的开关器件,能够实现高效的照明解决方案。
  4. 信号放大: 用于高频信号放大,增加信号传输距离与质量。
  5. 电池管理系统: 在消费电子产品中实现电池的保护和管理。

四、优势和特性

IRFL214TRPBF 在设计中兼顾了多种电气性能,是一款以其多功能性和高效能而著称的 MOSFET:

  • 高耐压: 能够承受高达 250V 的漏源电压,适合高电压应用场景。
  • 低导通电阻: 低 Rds On 使其在开启状态下的功耗非常小,提升了能效。
  • 宽温度范围: 除了能够在高温环境下工作外,-55°C 的工作底限也使其能应对更为苛刻的环境。
  • SOT-223 封装: 可实现更紧凑的电路设计,适合现代电子产品对小型化的需求。

五、总结

IRFL214TRPBF 是一款综合性能突出的 N 通道 MOSFET,适用于广泛的应用场景。凭借其杰出的电压承受能力、低导通电阻和精巧的封装设计,这款器件为工程师提供了极大的设计灵活性和可靠性。从电源管理到马达控制,IRFL214TRPBF 的出色表现使得它在竞争激烈的市场中脱颖而出,是您电子设计中的理想选择。