型号：
STGP6M65DF2
品牌：ST(意法半导体)
封装：TO-220
批次：-
包装：管装
重量：-
其他：
-
描述：IGBT-沟槽型场截止-650V-12A-88W-通孔-TO-220
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.07
1000+
2.94
产品参数
属性参数值
安装类型通孔
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）12A
栅极电荷21.2nC
输入类型标准
IGBT 类型沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）2V @ 15V，6A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)24A
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
开关能量40µJ（开），136µJ（关）
测试条件400V，6A，22 欧姆，15V
功率 - 最大值88W
25°C 时 Td（开/关）值12ns/86ns
反向恢复时间 (trr)140ns
STGP6M65DF2 产品概述
一、概述
STGP6M65DF2 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能绝缘栅双极晶体管（IGBT），采用沟槽型结构，具有650V的集射极击穿电压（Vces），最大集电极电流（Ic）为12A，适合在各种中高功率应用中使用。该产品在功率转换、驱动电机、开关电源及其它需要高效电源转换的领域展现出良好的性能。
二、技术参数
电流特性
- 最大集电极电流（Ic）： 12A
- 脉冲电流（Icm）： 24A
- 适用于中等负载的应用，如变频器和电机控制等。
电压性能
- 最大集射极击穿电压（Vces）： 650V
- 适用于主电源电压高达600V的应用场景，能够承受一定的电压波动。
开关特性
- Vce(on)（在特定条件下）： 最大为2V @ 15V，6A
- 开关能量（Eon/Eoff）： 开通能量为40µJ，关断能量为136µJ
- 开/关时间（Td）： Td（开启）为12ns，Td（关闭）为86ns
- 开关速度快，有助于提升系统效率和整体性能。
关闭特性
- 反向恢复时间（trr）： 140ns，适合快速开关应用。
环境适应性
- 工作温度范围： -55°C ~ 175°C（TJ），提供了广泛的温度适应性，适合在严酷环境下工作。
安装和封装
- 安装类型： 通孔安装（Through-Hole）
- 封装： TO-220，便于散热和PCB安装，适合不同的电路布局需求。
最大功率
- 功率最大值： 88W，满足中功率的动态需求。
三、应用领域
STGP6M65DF2 IGBT 在以下领域有广泛的应用：
电机驱动控制
- 适用于AC及DC电机的变频器和速度控制应用，能够有效调节电机的运行状态。
开关电源
- 在高频开关电源中应用，提升转化效率，降低能量损耗，满足高效能的要求。
电力电子设备
- 用于逆变器、整流器及其他电力电子产品，提供高效的能量转换解决方案。
电动车及混合动力汽车
- 在电动车及混合动力汽车的电源管理及控制功能中，发挥了其高效开关能力，增强了系统的可靠性和性能。
四、总结
STGP6M65DF2 IGBT 凭借其优秀的电压耐受性、快速的开关特性以及良好的热管理能力，成为中高功率电子应用中一个不可或缺的重要元件。意法半导体在该器件中运用了先进的技术，能够满足现代电子设备对高效率和可靠性的严格要求，不仅适用于工业应用，还能在汽车电子及可再生能源等领域展现出巨大潜力。选择 STGP6M65DF2，用户可以得到一款具有高性能和极强适应性的IGBT，有助于提升整体系统的运行效率和可靠性。