型号:

CPH3351-TL-W

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
批次:-
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
CPH3351-TL-W 产品实物图片
CPH3351-TL-W 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1W 60V 1.8A 1个P沟道 SOT-23
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.94
100+
1.55
750+
1.39
1500+
1.31
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)1.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10V,1A
功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.6V@1mA

CPH3351-TL-W 产品概述

引言

CPH3351-TL-W 是由 ON Semiconductor 生产的一款高性能 P 通道 MOSFET (金属氧化物场效应管),专为要求高效率以及高信号完整性的应用而设计。这款元件以其紧凑的 SOT-23-3 封装形式,提供了业内竞争力的电流承受能力和电源管理能力,使其成为各类电子电路中不可或缺的关键组件。

基本参数

CPH3351-TL-W 的主要技术参数包括:

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 封装形式: SOT-23-3
  • 零件状态: 有源
  • FET 类型: P 通道
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 最大功率耗散: 1W

这些参数使得 CPH3351-TL-W 适用于多种工业和消费类电子应用。

电气性能

该 MOSFET 的额定电流为连续漏极电流 (Id) 为 1.8A,这意味着它可以承载较大电流而不会出现过热现象。其在 25°C 的环境下,最大导通电阻 (Rds On) 为 250 毫欧,这在实际应用中可以有效减少能量损耗,提高系统整体效率。

CPH3351-TL-W 的泄漏源电压 (Vdss) 达到 60V,适合使用在中高压电路中。尤其在电源管理及负载开关应用中,这一特性尤为重要。它的驱动电压在 4V 至 10V 之间,最大栅极源电压 (Vgs) 为 ±20V,提供了更大的灵活性以适应不同的控制信号。

关键特性

  • 导通阈值(Vgs(th)): 在 1mA 时,最大值为 2.6V。这意味着在较低电压下即可开启该管道,适配许多低电压应用。
  • 栅极电荷(Qg): 最大 6nC @ 10V,这对于高频应用而言非常关键,能够实现快速开关操作。
  • 输入电容(Ciss): 最大值为 262pF @ 20V,保证了良好的信号响应速度。

应用场景

基于 CP3351-TL-W 的电气特性,它可以广泛应用于多种场景,包括但不限于:

  • 电源管理: 在 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源处理电路中,该 MOSFET 可用于功率开关。
  • 负载开关: 可用于各类负载开启和关闭,比如在自动化系统中控制电机和灯泡等。
  • 开关电源: 作为开关器件,可以有效调节功率,实现系统的高效能运作。
  • 数据通信: 在一些信号调理和放大电路中,作为开关来实现数据的快速传输。

总结

CPH3351-TL-W 是一款集成了多种高端特性的 P 通道 MOSFET,凭借其优秀的电气性能和广泛的应用适用性,为电子工程师们提供了一个理想的解决方案。无论是用于电源管理、负载开关,还是数据通信领域,该 MOSFET 都能够保证系统的高效运行和良好的控制能力。ON Semiconductor 作为质量保证的制造商,为用户提供了稳定可靠的产品,为电子设备的开发和应用注入了强劲动力。