型号:

SSM3K17FU,LF

品牌:TOSHIBA(东芝)
封装:USM
批次:-
包装:编带
重量:0.02g
其他:
SSM3K17FU,LF 产品实物图片
SSM3K17FU,LF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 150mW 50V 100mA 1个N沟道 SC-70(SOT-323)
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.484
3000+
0.452
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)100mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20Ω@4V,10mA
功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@1uA
输入电容(Ciss@Vds)7pF@3V

产品概述:SSM3K17FU,LF MOSFET

产品命名及基本信息: SSM3K17FU,LF 是由东芝(Toshiba)公司生产的一款表面贴装型 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),其封装形式为 SC-70 (SOT-323),广泛应用于低功耗电子电路中。这款 MOSFET 具有高效能、低导通电阻和宽泛的工作温度范围,适应各种严酷的应用场合。

主要规格:

  • 导通电阻(Rds On): 在 Vgs 为 4V 和 Id 为 10mA 时,最大导通电阻为 20Ω,确保了低功耗和高电流效率,关键指标对于延长电池寿命和减少电子设备的热量产生至关重要。
  • 驱动电压: 可在最低 2.5V 和最高 4V 的驱动电压下正常工作,满足多种逻辑电平控制需求,有效兼容现代微控制器和其他数字电路。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下,该器件可持续提供 100mA 的漏极电流能力,适用于中等电流负载。
  • 漏源电压(Vdss): 具有高达 50V 的耐压能力,适合于多个工业及消费电子应用,尤其是在传感器、电动机驱动及开关电源等领域。
  • 功率耗散能力: 该器件最高可承受 150mW 的功率耗散,确保在不同负载条件下的稳定运行,不易过热。

电气特性:

  • 输入电容: 在 Vds 为 3V 时,输入电容(Ciss)最大为 7pF,几乎不增加驱动器的负担,有助于提高高频开关性能,适合于高频率应用。
  • 阈值电压(Vgs(th)): 在 1µA 漏电流时的阈值电压最大为 1.5V,足以驱动其进入导通状态,意味着在较低的电压下即能实现开关,这对于低电压电路尤为重要。

工作环境: SSM3K17FU,LF 的工作温度范围广,最高可达 150°C(TJ),适合于高温环境下的操作。这使得该 MOSFET 非常适合用于汽车电子、工业控制、航空航天等领域,需要在严苛环境中持续稳定工作的场合。

应用场景: 由于其特点,SSM3K17FU,LF MOSFET 可广泛应用于:

  • 移动通讯设备: 手机和无线设备中节省空间和提高能效的应用。
  • 计算机周边设备: 在打印机、扫描仪及其他外围设备中的开关和放大应用。
  • 汽车电子: 可用于车载控制系统、智能仪表及功能模块。
  • 工控设备: 在自动化控制系统和传感器网络中实现信号的开关和放大。

总结: SSM3K17FU,LF 是一款性能可靠的 N 通道 MOSFET,具备低导通电阻、广泛的工作温度及高电流和电压处理能力,适合多种应用场景。其表面贴装型封装设计,使其易于集成到各种电路板中。这款器件的出色性能,结合东芝的高可靠性,确保了其在现代电子产品中占有一席之地。无论是在工业控制、消费电子还是汽车电气系统,SSM3K17FU,LF 都能提供卓越的解决方案,是设计师和工程师的理想选择。