型号:

IRF5305PBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-220AB
批次:2年内
包装:管装
重量:2.75g
其他:
IRF5305PBF 产品实物图片
IRF5305PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 110W 55V 31A 1个P沟道 TO-220-3
库存数量
库存:
8917
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.09
1000+
2
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)31A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)60mΩ@10V,16A
功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)63nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.2nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

产品概述:IRF5305PBF MOSFET

基本信息

IRF5305PBF 是一款高性能的 P 通道场效应管(MOSFET),由著名的半导体制造商英飞凌(Infineon)制造。该产品采用了金属氧化物技术,广泛应用于电力管理、电源开关和其他要求高效率和高可靠性的电路设计。IRF5305PBF 的额定漏源电压为 55V,连续漏极电流可达 31A,结合卓越的导通电阻和高功率处理能力,成为各种电子应用的理想选择。

关键参数

  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(场效应管)
  • 漏源电压(Vdss):55V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A(当工作环境温度为 Tc 时)
  • 驱动电压(Vgs):最大 Rds On 在 10V 的驱动电压下表现优异
  • Rds On:在 10V 驱动时,电流为 16A 时,最大导通电阻为 60 毫欧
  • Vgs(th):最大阈值电压为 4V @ 250µA
  • 栅极电荷(Qg):在 10V 时最大为 63nC,表现出较低的门极驱动损耗
  • 最大栅源电压(Vgs):±20V
  • 输入电容(Ciss):最大值为 1200pF @ 25V,确保快速开关性能
  • 功率耗散(Pd):最大为 110W(当 Tc 处于额定温度下)
  • 工作温度范围:-55°C 至 175°C(TJ),使其在极端环境下也能稳定工作
  • 封装类型:TO-220AB,适合通过孔安装

应用领域

IRF5305PBF 由于其优秀的电气特性和广泛的工作温度范围,适用于如下应用:

  1. 电源管理:在 DC-DC 转换器和电源开关电路中,IRF5305PBF 可以有效控制电源的开关,提升电源效率。
  2. 电机驱动:可用于直流电机的驱动和控制电路中,对功率条件的要求极为重要。
  3. 家用电器:广泛用于各种家电,如洗衣机、空调等的控制电路中,实现高效能和低能耗的目标。
  4. 汽车电子:在汽车的电源系统、控制模块中,IRF5305PBF 可提供可靠的性能支持。
  5. 可再生能源:在太阳能逆变器和风能发电系统中,该元件具有极其重要的应用价值,能够承受瞬时高负载的要求。

产品优势

  1. 高效能:通过低导通电阻,IRF5305PBF 能在高电流下运行而产生较小的功耗,从而提高整体系统的效率。

  2. 高功率处理能力:最大功率耗散可达到 110W,适合高功率应用,确保设备的安全与稳定。

  3. 宽温范围:可在极端温度下工作,使其在严苛的环境条件下也能充分发挥性能,适应多种应用场景。

  4. 便捷的封装:TO-220AB 封装使其安装简便,并适用于热管理,降低了系统的整体成本。

总结

IRF5305PBF P 型 MOSFET 的多种优越电气特性与高可靠性,使其适合于多种电子应用。无论是在电源管理、汽车电子或是家用电器中,IRF5305PBF 都能够发挥重要作用。对于需要高效率和高功率处理能力的系统设计者,IRF5305PBF 是一个理想的选择。