型号:

IRF520NPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-220AB
批次:2年内
包装:管装
重量:2.75g
其他:
IRF520NPBF 产品实物图片
IRF520NPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 48W 100V 9.7A 1个N沟道 TO-220AB
库存数量
库存:
12
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.64
1000+
1.51
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)9.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)200mΩ@10V,5.7A
功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)25nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)330pF
反向传输电容(Crss@Vds)54pF
工作温度-55℃~+175℃

IRF520NPBF 产品概述

一、基本介绍

IRF520NPBF是一款高性能的N通道MOSFET,具有优良的电气特性和广泛的应用场景。作为分类中的一员,IRF520NPBF特别适合高电压、大电流的开关和线性应用,日常使用中可以广泛用于电源管理、马达驱动、开关电源以及其他高效电力转换系统。由于其杰出的导通电阻和高功率处理能力,IRF520NPBF成为了一种常用的FET选择。

二、关键参数

  1. 类型与技术
    IRF520NPBF是一种N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用先进的制造工艺,确保了它在高频、高性能电路中的可靠性及效率。

  2. 电压及电流特性

    • 漏源电压(Vdss):该器件的最大漏源电压为100V,能够支持较高的电压应用。
    • 连续漏极电流(Id):在25°C条件下,IRF520NPBF的最大漏极电流为9.7A,适合大电流的应用场景。
  3. 导通电阻与栅极电压
    IRF520NPBF在10V栅极电压下,具有最大导通电阻Rds(on)为200毫欧(在5.7A条件下测得),这极大降低了在工作期间的功耗和发热,有助于提高整体系统效率。

  4. 栅阈值电压
    在不同的漏极电流Id和栅源电压Vgs下,IRF520NPBF的栅阈值电压Vgs(th)最大为4V(适用电流为250µA),这使得设备可以在较低的栅电压下开启,具备较好的控制特性。

  5. 功率耗散
    IRF520NPBF的最大功率耗散在环境温度下可达48W,表明其在高负荷工作条件下仍能保持稳健性能。

  6. 工作温度范围
    该器件能够在-55°C至175°C的广泛温度范围内稳定工作,非常适合恶劣环境的应用。

三、封装与安装

IRF520NPBF采用TO-220AB封装,设计上便于通孔安装,具有良好的散热性能及机械强度,适合快速集成于多种电子电路中。该封装的设计使得IRF520NPBF在散热和体积之间保持了良好的平衡,从而优化了系统的整体设计。

四、应用场景

IRF520NPBF因其卓越的性能被广泛应用于多个领域,包括:

  • 开关电源(SMPS):在电源转换器中充当开关元件,提供高效能量转换。
  • 功率放大器:用于音频及RF放大器等高功率增益应用。
  • 电动机控制:在电动机驱动系统中调节电流,提供精准控制。
  • 电子控制系统:如HVAC、汽车电子等领域,通过高效的开关控制实现能量管理。

五、总结

综上所述,IRF520NPBF是一款高压大电流的N通道MOSFET,凭借其出色的电气特性和广泛的应用潜力,成为了现代电子设计中不可或缺的重要元件。其可靠的性能及控制特性使其无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域都具备了极高的实用价值,是电力管理和系统优化的理想选择。