型号:

IRF8714TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SO-8
批次:2年内
包装:管装
重量:-
其他:
IRF8714TRPBF 产品实物图片
IRF8714TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 14A 1个N沟道 SO-8
库存数量
库存:
10769
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.2
4000+
1.13
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.7mΩ@10V,14A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.35V@25uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)1.02nF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

IRF8714TRPBF 产品概述

一、产品简介

IRF8714TRPBF 是一款由著名半导体制造商 Infineon(英飞凌)推出的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计旨在满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。这款 MOSFET 特别适合高频开关及电源管理应用,具有出色的性能参数和宽广的适应性。在广泛的工作温度范围和高电流承载能力的支撑下,IRF8714TRPBF 成为各种工业和消费类电子产品的理想选择。

二、技术规格

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 最大连续漏极电流 (Id): 14A(在 25°C 下)
  • 驱动电压
    • 最小 Rds On 驱动电压: 4.5V
    • 最大 Rds On 驱动电压: 10V
  • 导通电阻(Rds On)
    • 最大值: 8.7 毫欧(在 14A、10V 下)
  • 栅极阈值电压(Vgs(th))
    • 最大值: 2.35V(在 25µA 下)
  • 栅极电荷(Qg)
    • 最大值: 12nC(在 4.5V 下)
  • 栅源电压(Vgs)
    • 最大值: ±20V
  • 输入电容(Ciss)
    • 最大值: 1020pF(在 15V 下)
  • 功率耗散
    • 最大值: 2.5W
  • 工作温度范围
    • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装类型: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

三、应用场景

IRF8714TRPBF 在多种应用中表现出色,尤其在以下领域:

  1. 电源管理:该MOSFET 可以用于开关电源、直流-直流转换器和电池管理系统,以确保高效的功率转换和电源控制。

  2. 电机驱动:由于其高电流承载能力和快速的开关速度,适用于电机驱动器,例如无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制。

  3. 汽车电子:该器件广泛应用于汽车电源管理单元、LED 驱动和电动车控制系统,具备良好的环境适应性和可靠性。

  4. 消费电子:包括计算机、游戏控制台以及移动设备,能有效管理高功率负载,保持设备的低功耗运行。

四、性能优势

IRF8714TRPBF 的设计遵循了低导通电阻和快速开关特性,使其在高频应用中具有优良的效率表现。其最大导通电阻仅为 8.7 毫欧,使得在传输高电流时损耗极小,提升了整体系统的能效。宽广的 Vgs 和 Vdss 工作范围保证了该器件可以在苛刻的电气环境中稳定工作。此外,其卓越的工作温度范围 (-55°C 至 150°C) 确保了在极端环境下的可靠性,满足了汽车和工业等高要求应用的标准。

五、结论

凭借其卓越的技术参数和高度的适应性,IRF8714TRPBF 不仅减小了系统的体积和降低了能耗,还提升了产品的总体性能。无论是用于开关电源、电动机控制,还是广泛的工业和消费类电子产品中,IRF8714TRPBF 都是您的理想选择。 Infineon 的技术优势和品牌信誉为该产品提供了额外的保障,确保工程师在设计电路时能够高枕无忧,专注于创新与性能提升。