描述：场效应管(MOSFET) 40W 500V 4.6A 1个N沟道 TO-220F-3
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)4.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)850mΩ@10V,2.8A
功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)67nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.3nF
反向传输电容(Crss@Vds)39pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
IRFI840GPBF 产品概述
1. 产品概况
IRFI840GPBF 是一款由 VISHAY（威世半导体）生产的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），它具有出色的电气性能和广泛的应用潜力。该器件的漏源电压最高可达 500V，能够支持高压环境下的高效能工作，适合用于开关电源、DC-DC 转换器及其他要求严格的电力电子设备。
2. 主要参数
- FET 类型: N 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 500V
- 连续漏极电流 (Id): 4.6A（在 Tc = 25°C 的条件下）
- 驱动电压: 10V
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大 850 毫欧，适用于 2.8A 和 10V 的驱动条件
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 4V，当漏极电流为 250µA 时测得
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 67nC，在 10V 驱动下测得
- 最大栅源电压 (Vgs): ±20V
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 1300pF，在 25V 时测得
- 最大功率耗散: 40W
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: TO-220-3，全封装，隔离接片
3. 应用领域
IRFI840GPBF 适用于许多高压、大功率的电力电子应用，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动器
- 逆变器
- 太阳能逆变器
由于其高温工作的能力，该器件在高温环境下表现出色，能够确保系统的稳定性与可靠性。
4. 性能特点
IRFI840GPBF 结合了较低的导通电阻和高效的栅极驱动方式，使其在开关操作时具有更低的开关损失，可以有效提高整体系统效率。此外，其高达500V的漏源电压能够满足多数高压应用的需求，确保在高电压下的可靠工作。
5. 散热与封装
IRFI840GPBF 采用 TO-220-3 封装，具备优良的散热性能。该封装设计允许器件与散热器的紧密结合，使其能够有效散发在工作中产生的热量，降低器件的工作温度，从而延长其使用寿命并提升系统的可靠性。
6. 安装与应用便利性
由于该 MOSFET 采用通孔安装形式，IRFI840GPBF 适合于多种电路板设计，便于与其他元器件相连接。此外，威世半导体提供完善的技术支持和文档，使得设计工程师可以方便地实现高效的电路设计，推动产品的快速上市。
7. 结论
IRFI840GPBF 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，适合多种高功率、高电压应用。凭借其出色的电气特性、宽广的工作温度范围和良好的散热性能，该器件在现代电子设计中扮演着关键角色，帮助工程师实现更高的系统效率和更低的能耗。选择 IRFI840GPBF，即是在选择一种能够适应高要求应用，确保品质和性能的解决方案。