型号:

BC848CLT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
批次:24+
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
BC848CLT1G 产品实物图片
BC848CLT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 30V 100mA NPN SOT-23
库存数量
库存:
5363
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0968
3000+
0.0768
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)30V
功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)110@100mA,5.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)5uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA,5.0mA
工作温度-55℃~+150℃

BC848CLT1G 产品概述

产品简介

BC848CLT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 NPN 型三极管,采用表面贴装型封装 SOT-23-3(TO-236)。凭借其优良的电气特性和广泛的应用,BC848CLT1G 一直以来都是电子设计中非常受欢迎的选择,特别在低功耗信号放大、开关控制等领域。

基本参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极最大电流 (Ic): 100mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 30V
  • 饱和压降 (Vce_sat): 最大 600mV (在 Ib = 5mA 和 Ic = 100mA 时)
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大 15nA
  • DC 电流增益 (hFE): 最小值 420 (在 Ic = 2mA, Vce = 5V 时)
  • 功率最大值: 300mW
  • 频率跃迁: 100MHz
  • 工作温度范围: -55°C 到 150°C
  • 封装类型: SOT-23-3(TO-236)
  • 安装方式: 表面贴装型

电气特性分析

BC848CLT1G 的电气特性使其适用于多种电子应用。它的最大集电极电流达到 100mA,足以满足大部分小信号放大以及开关操作需求。该三极管的 Vce 最大击穿电压为 30V,意味着它可以在较高电压下安全工作,适合在较高电压环境中使用。

饱和压降(Vce_sat)为 600mV,这在放大电路中是较低的,有助于提高能效。DC 电流增益 (hFE) 的最小值为 420,说明在较小的基极电流下,能够控制较大的集电极电流,提供良好的放大效能。此外,低截止电流(ICBO,仅 15nA)意味着在闭合状态下几乎没有浪费电流,提高了整体能效。

工作环境和应用场景

BC848CLT1G 的宽工作温度范围(-55°C 至 150°C)使得它能够在极端环境中稳定工作。因此,它被广泛应用于航天、汽车电子及工业控制等领域的高可靠性产品中。

由于其较高的频率跃迁特性(高达 100MHz),该三极管适用于高频信号的处理,因此在音频放大器、射频放大器、调制解调器和其他通信设备中的应用也颇为广泛。这些特性使得 BC848CLT1G 适合作为开关元件、信号放大器和逻辑控制单元等。

封装与安装

BC848CLT1G 采用 SOT-23-3 封装,适用于表面贴装技术(SMT),为现代电子组合和小型化设计提供了便利。这种封装的优势在于其小型、轻量化,适合高密度电路板的布局。

总结

BC848CLT1G 是一款功能强大的 NPN 三极管,凭借其优异的增益特性、低功耗和广泛的温度适应性,成为了电子设计中的一款理想元器件。对于需要同时兼顾性能与可靠性的应用场景,BC848CLT1G 是值得考虑的方案。产品的多样化特性使得其适用于多种不同的电子产品中,无论是消费类电子、工业设备还是汽车电子,均可见其身影。