型号:

DTD523YETL

品牌:ROHM(罗姆)
封装:EMT3
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
DTD523YETL 产品实物图片
DTD523YETL 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 12V 500mA 1个NPN-预偏置 SC-75(SOT-416)
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3000+
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产品参数
属性参数值
晶体管类型1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)12V
集电极电流(Ic)500mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)140@100mA,2V

DTD523YETL 产品概述

基本信息

DTD523YETL 是一款由 Rohm Semiconductor 生产的高性能数字晶体管,其采用了 NPN 预偏置结构,适用于各种数字电路及信号处理应用。该产品具有优越的电气性能和小型的封装设计,满足现代电子设备对高效率和小型化的需求。

产品特点

  1. 结构与封装
    DTD523YETL 采用 SC-75 (SOT-416) 封装,属于表面贴装型器件。这种小型封装使其非常适合于空间受限的应用场景,如移动设备、可穿戴设备及其他紧凑型电子产品。

  2. 电气性能

    • 集电极电流 (Ic): 最大可以承受 500mA,这使得该晶体管能够在各种工作条件下提供稳定的性能。
    • 集射极击穿电压 (Vce): 最高可达到 12V,确保在一定电压范围内的可靠工作。
    • 功率处理能力: DTD523YETL 的功率最大值为 150mW,这允许其在高负载情况下稳定工作。
    • 频率跃迁: 具有高达 260MHz 的频率响应能力,能够高效处理快速信号切换,适合高频通讯及数据处理电路。
  3. 增益特性
    DTD523YETL 在不同工作条件下表现出优良的电流增益特性。当集电极电流为 100mA,基极电流为 5mA 时,其直流电流增益 (hFE) 的最小值达到 140,提供强大的信号放大能力,适合用于驱动高负载的场景。

  4. 饱和压降
    在处理电流时,基极和集电极之间的饱和压降最大值为 300mV,意味着在开关操作时损耗非常小,有助于提高电路的整体效率。

  5. 截止电流特性
    DTD523YETL 的集电极截止电流最大值仅为 500nA,这说明其在关断状态下能够保持极低的漏电流,对电池供电型设备更为友好,有效延长设备的运行时间。

  6. 电阻特性
    该器件的基极电阻 R1 设置为 2.2 kΩ,发射极电阻 R2 为 10 kΩ,这样的配置使得晶体管在开关及放大状态下的控制更为精准,确保信号的稳定性。

应用场景

由于其卓越的性能和小型化的封装,DTD523YETL 特别适合于各种电子产品和电路的应用,包括:

  • 移动通信设备: 在手机和通信模块中用于信号放大和开关控制,以确保高质量的数据传输。
  • 消费电子产品: 如电视、音响等需要音频信号处理的产品中,用于提升信号质量。
  • 嵌入式系统: 在单片机及其他嵌入式系统中,用于控制信号的放大和转换,帮助实现复杂的控制逻辑。
  • 可穿戴设备: 由于其小型化特性,非常适用于智能手表和健康监测设备中,实现对传感器信号的处理和放大。

总结

DTD523YETL 是一款功能强大且灵活的数字晶体管设备,其出色的电气性能和小型化设计使其能够广泛应用于现代电子设备中。无论是在高频信号处理,还是在高负载驱动场合,DTD523YETL 都能够提供可靠的性能。因此,选择 DTD523YETL 将为电子设计带来许多便利,满足设计师对高效能和高集成度的需求。