2SC5566-TD-E

2SC5566-TD-E 产品概述

产品介绍

2SC5566-TD-E 是一款高性能的 NPN 型晶体管，专为多种电子应用而设计，广泛用于功率放大、开关和音频放大等领域。该器件由安森美（ON Semiconductor）制造，具有卓越的电气性能，适用于需要高效率和可靠性的大功率电路。

关键参数

1. 晶体管类型: NPN
2. 电流 - 集电极 (Ic) 最大值: 4A
3. 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
4. Vce 饱和压降: 下述条件下的最大值：225mV @ 100mA，2A
5. 电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
6. DC 电流增益 (hFE): 最小值 200 @ 500mA，2V
7. 功率 - 最大值: 1.3W
8. 频率 - 跃迁: 400MHz
9. 工作温度: 最高150°C（TJ）
10. 安装类型: 表面贴装型
11. 封装/外壳: TO-243AA
12. 供应商器件封装: PCP

这些参数使得 2SC5566-TD-E 成为在高温高功率应用中非常可靠和稳定的选择。

应用场景

2SC5566-TD-E 主要可用于以下几种应用：

1. 开关电源: 由于其较高的电流处理能力，可以在开关电源中作为主开关使用，尤其适合持续工作在较高电流及电压范围内的电源模块。

2. 音频放大: 此晶体管可用作音频放大器中的输出级，支持更高的电流输出，提供强大的音频放大能力，确保音频信号的完整性。

3. 开关电路: 由于其低饱和压降特性，该晶体管非常适合用于各类数字和模拟开关电路，确保高效率运行并降低功耗。

4. 脉冲应用: 在需要快速开关的应用中，2SC5566-TD-E 的高跃迁频率（400MHz）使它在脉冲发射和脉冲调制应用中表现突出。

性能优势

1. 低饱和压降: 在高电流操作下的饱和压降小于225mV，能有效降低功耗，提升工作效率。

2. 高电流增益: 在500mA的电流条件下，hFE 达到200，这确保了设备在各种负载条件下均能保持良好的增益性能。

3. 高工作温度: 该晶体管的工作温度范围可达150°C，使其在高温环境下也能稳定工作，保护电路的安全性与可靠性。

4. 紧凑型封装: TO-243AA 封装的设计优化了电路板的空间利用率，适合对空间要求较高的表面贴装应用。

结论

综上所述，2SC5566-TD-E 是一款高度可靠的 NPN 晶体管，适合多种高功率和高效率的应用场景。凭借其优异的电气特性，例如较低的饱和压降、高 DC 电流增益和大的集电极电流能力，该产品在行业内具有广泛的应用潜力。随着现代电子设备对功耗和空间的不断要求提升，2SC5566-TD-E 的设计理念与规格无疑将为工程师和设计师在高效能电路设计中提供强有力的支持。