型号:

DTA114EET1G

品牌:ON(安森美)
封装:UMT3
批次:21+
包装:编带
重量:0.027g
其他:
-
DTA114EET1G 产品实物图片
DTA114EET1G 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SC-75(SOT-523)
库存数量
库存:
50
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.841
200+
0.58
1500+
0.528
3000+
0.493
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)35@10mA,10V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)2.5V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.2V@100uA,5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)200mV
输入电阻10kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

DTA114EET1G 产品概述

概述

DTA114EET1G 是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能、低功耗的数字晶体管,属于PNP类型。该器件被广泛应用于各种电子信号放大和开关电路中,特别适合需要预偏压配置以确保高效运行的电路设计。DTA114EET1G 以其优越的电气性能和紧凑的封装形式,成为手机、便携式电子设备以及其他消费电子产品中的理想选择。

主要参数

  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA
  • 集射极击穿电压 (Vce):50V
  • 基极电阻 (R1):10 kΩ
  • 发射极电阻 (R2):10 kΩ
  • DC电流增益 (hFE):在5mA和10V下,最小值为35
  • 饱和压降 (Vce):在300µA和10mA下,最大值为250mV
  • 集电极截止电流 (I_C_cutoff):最大值500nA
  • 功率最大值:200mW

封装与安装

DTA114EET1G 采用表面贴装型封装,采用 SC-75(也称为 SOT-416)和 UMT3。本款器件的紧凑设计非常适合空间有限的应用,同时为开发者提供便于堆叠和自动装配的优势。

特性与优势

  1. 高电流增益:DTA114EET1G 在特定工作条件下具有良好的电流增益,使其在放大和开关应用中表现出色。
  2. 低饱和压降:该器件的饱和压降非常小,可以有效降低开关损耗,因此在电源管理和信号处理电路中非常有效。
  3. 低功耗特性:在高频率操作下,DTA114EET1G 可保持低功耗运行,对于需要电池供电的设备尤为重要。
  4. 高击穿电压:50V的集射极击穿电压使得DTA114EET1G 能够在额定条件下安全操作,适用于各种电压输入的应用环境。
  5. 广泛应用:该器件可以广泛应用于开关电源、放大电路、信号调理、LED驱动等多种电路中。

应用场景

  1. 消费电子:在手机、平板电脑和其他便携式设备中,DTA114EET1G 可以用作信号开关或放大器。
  2. 工业控制:在需要精确控制与信号调理的应用中,DTA114EET1G 提供了可靠的性能。
  3. LED驱动电路:可用于驱动LED照明,提供稳定的电流控制。
  4. 音频设备:可作为音频信号放大器,保持音质的同时提高信号电平。

结论

DTA114EET1G 数字晶体管凭借其小巧的体积与强大的电气性能,是现代电子设计中不可或缺的组件之一。其低功耗、高电流增益及优异的饱和特性,使其在众多应用领域中得到广泛认可。对于开发者而言,选择 DTA114EET1G 无疑是实现高效、可靠电路设计的重要一步。无论是消费电子、工业控制,还是LED驱动领域,DTA114EET1G 都能够提供卓越的性能,为下一代电子产品的创新提供了坚实的基础。