型号:

BC848BLT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
批次:2年内
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
BC848BLT1G 产品实物图片
BC848BLT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 30V 100mA NPN SOT-23
库存数量
库存:
1510
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.129
3000+
0.114
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)30V
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)110@100mA,5.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)5uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA,5.0mA
工作温度-55℃~+150℃

BC848BLT1G 产品概述

一、产品基本信息

BC848BLT1G 是由安森美(ON Semiconductor)公司生产的一款高性能 NPN 型晶体管,采用 SOT-23-3(TO-236)封装,具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。其主要参数包括最大集电极电流(Ic)为 100mA,最大集射极击穿电压(Vceo)为 30V,最高功率耗散可达 300mW。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于多种工业和消费电子应用。

二、器件特性

  1. 电流增益和频率响应: BC848BLT1G 的直流电流增益(hFE)在不同工作条件下表现优异,最小值可达 200,测试条件为 2mA collector current 和 5V 基极电压。此外,该晶体管的跃迁频率为 100MHz,使其在高速开关应用中表现得尤为出色。

  2. 饱和压降: 该晶体管在 5mA 和 100mA 的工作条件下,其 Vce 的饱和压降最大值为 600mV,表明在大电流工作状态下,该器件仍能够提供良好的导通性能,降低功耗和热损耗。

  3. 漏电流特性: BC848BLT1G 的集电极-基极截止电流最大值仅为 15nA(ICBO),这使得它适用于需要高性能和低电流消耗的应用,尤其是在待机模式下有良好的能效表现。

三、应用场景

BC848BLT1G 的特性适合多种应用场景,包括但不限于:

  • 信号放大:由于其高电流增益和宽频带特性,BC848BLT1G 可用于音频和射频信号放大电路。

  • 开关应用:借助其较低的饱和压降和高频率响应,该晶体管可广泛应用于开关电源和变频驱动器中,尤其是低功耗的开关调节器和继电器驱动电路。

  • 线性放大器:可用于构建线性放大器,与其他元件组合实现高增益和线性响应的音频放大电路。

  • 数字电路中的驱动器:作为逻辑门电路中的驱动器,能够高效驱动后续电路单元。

四、封装及安装

BC848BLT1G 采用 SOT-23-3 封装,是一种紧凑型的表面贴装封装设计,适合现代电子设备对空间和重量的严苛要求。SOT-23-3 封装通常用于薄型电路板的高密度布局,使得其在便携式设备中尤为理想。

五、市场前景与竞争优势

作为一款具有可靠性和高性能的晶体管,BC848BLT1G 在市场中具有广泛的应用前景。随着电子产业的快速发展,对小型化和高效能器件的需求不断增长,BC848BLT1G 凭借其出色的工作参数和良好的热特性,由于符合 RoHS 指令,已成为许多工程师和设计师在选择晶体管时的优先选择。

总结而言,BC848BLT1G 是一款具有高可靠性、高性能的 NPN 晶体管,适用于多种电子应用,尤其在信号处理、开关电源和线性放大器中展现了卓越的性能。凭借其优良的电特性、宽广的工作温度范围及出色的封装设计,使其在激烈的市场竞争中占据重要位置,成为电子设计领域不可或缺的基本元件。